[发明专利]等离子体启辉方法和设备有效
申请号: | 201610566352.2 | 申请日: | 2016-07-18 |
公开(公告)号: | CN107630207B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 张京华 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 唐丽;马佑平 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频电源 等离子体启辉 等离子体 等离子体稳定 电极功率 反射功率 气体激发 启辉 机台 方法和设备 下电极功率 下电极 电极 成功率 检测 | ||
1.一种等离子体启辉方法,用于将气体激发为等离子体,其特征在于,包括以下步骤:
计算将所述气体激发生成等离子体所需的启辉上电极功率RF,且RF=RF1+RF1*RF2/(RF1+RF2),其中,RF1及RF2分别为将所述气体维持在等离子体稳定状态所需的稳定上电极功率和稳定下电极功率;
启动与上电极相连的第一射频电源和与下电极相连的第二射频电源,并将所述第一射频电源的功率设定为RF、所述第二射频电源的功率设定为RF2;
检测与所述功率设定为RF的第一射频电源相对应的反射功率,若所述反射功率小于RF1*5%,则将所述第一射频电源的功率设定为RF1,所述第二射频电源的功率仍设定为RF2。
2.根据权利要求1所述的等离子体启辉方法,其特征在于,在计算启辉上电极功率RF之前,还包括获取所述稳定上电极功率RF1和所述稳定下电极功率RF2的步骤。
3.根据权利要求1所述的等离子体启辉方法,其特征在于,所述稳定上电极功率RF1和所述稳定下电极功率RF2从等离子体启辉设备的存储单元中获取。
4.根据权利要求3所述的等离子体启辉方法,其特征在于,还包括将所述启辉上电极功率RF存储在所述存储单元中的步骤。
5.一种等离子体启辉设备,其特征在于,包括启辉上电极功率计算单元、第一控制单元、反射功率检测单元、以及第二控制单元;
所述启辉上电极功率计算单元,用于计算将气体激发生成等离子体所需的启辉上电极功率RF,且RF=RF1+RF1*RF2/(RF1+RF2),其中,RF1及RF2分别为将所述气体维持在等离子体稳定状态所需的稳定上电极功率和稳定下电极功率;
所述第一控制单元,用于启动与上电极相连的第一射频电源和与下电极相连的第二射频电源,并将所述第一射频电源的功率设定为RF、所述第二射频电源的功率设定为RF2;
所述反射功率检测单元,用于检测与所述功率设定为RF的第一射频电源相对应的反射功率;
所述第二控制单元,用于若所述功率检测单元检测到的所述反射功率小于RF1*5%,则将所述第一射频电源的功率设定为RF1,所述第二射频电源的功率仍设定为RF2。
6.根据权利要求5所述的等离子体启辉设备,其特征在于,所述等离子体启辉设备还包括存储单元;所述存储单元用于存储所述稳定上电极功率RF1和所述稳定下电极功率RF2。
7.根据权利要求6所述的等离子体启辉设备,其特征在于,所述启辉上电极功率计算单元,还用于从所述存储单元中获取所述稳定上电极功率RF1和所述稳定下电极功率RF2。
8.根据权利要求7所述的等离子体启辉设备,其特征在于,所述存储单元还用于存储所述启辉上电极功率RF。
9.根据权利要求5所述的启辉设备,其特征在于,所述等离子体启辉设备还包括第一功率输入单元;所述第一功率输入单元用于供用户输入所述稳定上电极功率RF1。
10.根据权利要求5所述的启辉设备,其特征在于,所述等离子体启辉设备还包括第二功率输入单元;所述第二功率输入单元用于供用户输入所述稳定下电极功率RF2。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的