[发明专利]一种用于金刚线多晶硅片的喷砂装置

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池片技术领域，具体涉及一种用于金刚线多晶硅片的喷砂装置。

背景技术

以下对本发明的相关技术背景进行说明，但这些说明并不一定构成本发明的现有技术。

随着我国太阳能产业的快速发展，太阳能电池片的需求量在不断的扩大，如何加工出低成本、高效率的核心原料—硅片成为行业亟待解决的的课题，目前国内太阳能硅片加工方法有以下几种：

砂浆线切割单晶硅技术：单晶硅制造成本高、砂浆线切割技术效率低、碎片率高；

砂浆线切割多晶硅技术：多晶硅制造成本低、砂浆线切割技术效率低、碎片率高；

金刚线切割多晶硅技术：单晶硅制造成本高、金刚线切割技术效率高、碎片率低；

黑硅技术：设备成本高、环境污染严重。

但是现有的硅片加工技术都存在着成本高、加工效率低、碎片率高、环境污染严重等问题；虽然金刚线切割技术所带来的高效加工率和低碎片率得到了广泛认可，但是低成本的金刚线切割多晶硅片表面过于光滑，并不能用于太阳能电池片的制作，这对金刚线多晶硅技术的应用和推广设置了不可逾越的鸿沟。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于金刚线多晶硅片的喷砂装置，使处理之后的硅片能够直接进行太阳能电池片的制作，并且性能得到很大提升，扩大了金刚线多晶硅技术的应用范围。

根据本发明的用于金刚线多晶硅片的喷砂装置，包括：支架系统、定位系统、传动系统、喷砂系统和砂浆系统；其中：

定位系统设置在传动系统上，包括至少一个真空载台、至少一个真空源和至少一个真空管；真空的上端面设置有通孔，真空载台的上端面用于承载金刚线多晶硅片；真空载台通过真空管可拆卸地与真空源连通；

传动系统设置在支架系统上，用于驱动真空载台进出支架系统；

喷砂系统设置在支架系统内、并与砂浆系统连接，用于将砂浆系统中的磨液喷涂到金刚线多晶硅片的表面。

优选地，传动系统包括：传动轨道、驱动单元和传动链；其中，

传动轨道可拆卸地设置在支架系统上，用于承载真空载台、并限定真空载台进出支架系统的轨迹；

传动链与驱动单元连接，其行进方向与传动轨道平行，传动链上设置有限位齿；传动链运动过程中限位齿驱动载台沿着传动轨道的方向进出支架系统。

优选地，传动轨道上均匀间隔地设置有垂直于所述传动轨道的滚动体。

优选地，传动系统进一步包括：推送单元和传感器；

推送单元设置在传动轨道上，用于承载待处理的真空载台；

传感器设置在传动轨道的进入端；

当传感器检测到限位齿时，推送单元将待处理的真空载台推送到传动轨道的进入端，利用该限位齿驱动真空载台沿着传动轨道的方向进出支架系统。

优选地，喷砂系统的喷枪能够沿着垂直于真空载台运动的方向往复运动。

优选地，真空载台的上端面的通孔的数量为一个、两个或更多个；当真空载台的上端面设置有至少两个通孔时，所述至少两个通孔均匀分布。

优选地，通孔的横截面为由弧线和/或线段组成的封闭图形。

优选地，每个真空载台包括至少两个承载区，每个承载区承载一个金刚线多晶硅片；和/或与每个真空源对应的载台的数量至少为一个。

优选地，喷砂装置的靶距满足如下关系：

式中，S为加工面积，单位为mm²；R为喷枪出液口的半径，单位为mm；μ为靶距变换系数，单位为1/mm，μ的取值为0-50/mm；L为靶距，单位为mm；β为喷枪出液口散射角度，单位为rad；V_s为横向基础加工速率，单位为mm²/s；t为加工时间，单位为s。

本发明还提供了如上所述的喷砂装置在对于金刚线多晶硅片进行喷砂中的应用。

根据本发明的用于金刚线多晶硅片的喷砂装置，包括：支架系统、定位系统、传动系统、喷砂系统和砂浆系统，传动系统将待处理的金刚线多晶硅片传送至喷砂系统，喷砂系统将砂浆系统中的磨液喷涂到硅片表面，完成喷砂处理。通过对金刚线多晶硅片表面进行喷砂处理，能够改变金刚线多晶硅片的表面微观形貌，经过表面处理后的金刚线多晶硅片能够直接进行电池片的制作。

附图说明

通过以下参照附图而提供的具体实施方式部分，本发明的特征和优点将变得更加容易理解，在附图中：

图1为根据本发明的用于金刚线多晶硅片的喷砂装置的示意图；