[发明专利]一种GaN基发光二极管外延结构在审
| 申请号： | 201610488191.X | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107546305A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 结构 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述GaN基发光二极管外延结构从下到上依次为：衬底层、晶格失配缓冲层、模板层以及GaN基多层结构，其中，
所述GaN基多层结构中包括n型GaN层、p型GaN层以及位于n型层和p型GaN层之间的发光层，还包括两个分别位于所述发光层两侧的势垒层，所述势垒层的导带能量比所述发光层高、价带能量比所述发光层低；
所述GaN基多层结构中还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层靠近所述n型GaN层一侧设置，且所述空穴阻挡层的导带能量比所述发光层中的量子阱结构高、价带能量比所述发光层中的量子阱结构低。
2.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述发光层由AlxInyGa1-x-yN构成，且0≤x≤1，0≤y≤1。
3.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述势垒层由AltInfGa1-t-fN构成，其中，0≤t≤1，0≤f≤1。
4.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述空穴阻挡层由AlmInnGa1-m-nN构成，其中，0≤m≤1，0≤n≤1。
5.如权利要求1或4所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述空穴阻挡层为单层AlmInnGa1-m-nN结构或为多层AlmInnGa1-m-nN/AlcIndGa1-c-dN超晶格结构，其中，0≤m≤1，0≤n≤1，0≤c≤1，0≤d≤1。
6.如权利要求5所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，在所述空穴阻挡层中掺杂Si元素或不掺杂Si元素。
7.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述晶格失配缓冲层为AlN、GaN、AlGaN、AlInN以及AlInGaN中的一种。
8.如权利要求7所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述晶格失配缓冲层为多层结构或单层结构。
9.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述发光层的能量带隙在1.59eV至5.6eV之间。
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