[发明专利]一种在材料表面制备微纳米尺度周期性或非周期性结构的方法在审
| 申请号： | 201610475697.7 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107546102A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄翀 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;B81C1/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 | 代理人： | 郭立中,蒋尊龙 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 材料 表面 制备 纳米 尺度 周期性 结构 方法 | ||
1.一种在材料表面制备微纳米尺度周期性或非周期性结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1) 在衬底上涂覆压印胶；使用压印技术将具有周期性或非周期性结构的模板压印至衬底上后脱模，使压印胶在衬底表面形成具有周期性或非周期性的凸起；
(2) 在衬底上沉积金属层，使金属层仅沉积在所述凸起的表面；
(3) 进行等离子刻蚀；
(4) 将沉积的金属层及压印胶从衬底上剥离，得到表面具有周期性或非周期性结构的材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述压印是指纳米压印；优选地，采用紫外光固化压印或热塑压印，压印的分辨率小于10nm。
3.如权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于在沉积金属层前不包含去残胶步骤。
4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述金属层为Cr层；优选地，所述Cr层的厚度为5-20nm。
5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，步骤（3）中，所述等离子刻蚀为反应等离子体刻蚀或电感耦合等离子刻蚀。
6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述衬底为金刚石；优选地，所述金刚石为单晶或者多晶金刚石。
7.如权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述周期性或非周期性的凸起为矩阵形的、针形的、倒V形的、倒金字塔形或者各种不规则形状的微米或纳米周期性结构的一种或多种。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的方法制备的表面具有周期性或非周期性结构的材料。
9.一种具有表面周期性结构的金刚石，其特征在于使用金刚石为衬底，采用权利要求1-7中所述的任一项制备方法得到。
10.权利要求9所述的表面具有周期性结构的金刚石材料在制备在高辐射条件下的各类反射和透射光栅、光子晶体发光二极管、菲涅尔透镜中的应用，以及在医疗、外太空、核电站等高辐射场所使用的探测器中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙新材料产业研究院有限公司，未经长沙新材料产业研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610475697.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种实验室专用桌面嵌入式原位污染控制装置
- 下一篇：高密度光纤机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
