[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鳍片以及位于所述鳍片上的金属栅极，所述金属栅极至少包括位于顶部的导电层，所述金属栅极的侧壁上形成有间隙壁；

回蚀刻所述导电层，以在所述间隙壁之间形成凹槽；

在所述凹槽中沉积覆盖层，以覆盖所述凹槽的侧壁和底部；

循环执行沉积所述覆盖层的步骤至完全填充所述凹槽为止，以形成接触孔蚀刻停止层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，循环执行2-6次沉积所述覆盖层的步骤，以完全填充所述凹槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述覆盖层的方法包括先执行原子层沉积，最后执行化学气相沉积。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括平坦化所述覆盖层至所述间隙壁的步骤。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括在所述金属栅极的上方或外侧形成接触孔的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括在所述接触孔上方形成金属层的步骤。

7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

鳍片，位于所述半导体衬底上；

金属栅极，位于所述鳍片上方，所述金属栅极的侧壁上形成有间隙壁，所述金属栅极的顶部为导电层，在所述导电层上方以及所述间隙壁之间形成有凹槽；

覆盖层叠层，包括若干层覆盖层，完全填充所述凹槽。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述覆盖层叠层包括2-6层所述覆盖层。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

接触孔，位于所述覆盖层叠层的上方。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求7至9之一所述的半导体器件。