[发明专利]在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，包括：

清洗所述硅衬底的表面；

在温度T1低于350摄氏度下，在所述硅衬底的表面通过原子层沉积法沉积一预定厚度D1的所述电介质薄膜，包括以下步骤：

2.1持续供给含钛反应化合物，通过原子层沉积法使所述含钛反应化合物均一覆盖在所述硅衬底的表面，持续供给所述含钛反应化合物的时长t1；

2.2第一次氮气清洗，清洗时长t2；

2.3在氧化剂气氛下，使所述含钛反应化合物被氧化成高价钛氧化物，持续时长t3；

2.4第二次氮气清洗，清洗时长t4；

2.5当所述电介质薄膜达到预定厚度D1，则完成所述电介质薄膜的沉积；当所述电介质薄膜未达到预定厚度D1，回到步骤2.1；

其中，10ms≤t1≤1000ms，100ms≤t2、t4≤2000ms，10ms≤t3≤500ms。

2.如权利要求1所述的一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，其特征在于，所述预定厚度D1为50nm～150nm。

3.如权利要求1所述的一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，其特征在于，所述硅衬底是单晶硅衬底或多晶硅衬底。

4.如权利要求1所述的一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，其特征在于，所述含钛反应化合物是四氯化钛、异丙醇钛和二甲基氨基钛中的一种或几种。

5.如权利要求1所述的一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，其特征在于，所述在氧化剂气氛下中使用的氧化剂是氧气、去离子水、臭氧和等离子态的氧自由基中的一种或几种。

6.如权利要求1所述的一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，其特征在于，10ms≤t1≤100ms，500ms≤t2、t4≤1000ms，50ms≤t3≤200ms。

7.如权利要求1所述的一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法，其特征在于，T1小于等于150摄氏度。

8.一种太阳能电池，包括硅衬底以及位于所述硅衬底的向光面的表面层和/或位于所述硅衬底的背光面的背面层，所述表面层和/或所述背面层包括至少一层电介质薄膜，所述电介质薄膜通过如权利要求1-7所述任一种方法沉积在所述硅衬底上。