[发明专利]单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜及制备方法有效
申请号: | 201610353453.1 | 申请日: | 2016-05-25 |
公开(公告)号: | CN105895722B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 唐超;李华 | 申请(专利权)人: | 苏州固泰新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/18;B32B27/30;B32B27/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 张佩璇 |
地址: | 215211 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单面 磨砂 反射 太阳能 背板 pvdf 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于光学膜技术领域,具体涉及一种单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜及其制备方法。
背景技术
太阳能电池板主要由前板、太阳能电池片和背板组成,其中前板是具有高透光率的钢化玻璃,太阳能电池片由EVA(聚乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物)胶膜包封,太阳能背板位于太阳能电池板的背面,对电池片起保护和支撑作用,需要具有可靠的绝缘性、阻水性、耐老化性。太阳能背板一般具有三层结构,外层保护层需要具有良好的抗环境侵蚀能力和与内层较好的粘结性能,因含氟薄膜的耐候性突出,因此外层保护层一般为PVF(聚氟乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)和THV(四氟乙烯,六氟丙烯和偏二氟乙烯的聚合物),中间层薄膜需要具有良好的绝缘性能,一般选择为PET(聚酯)薄膜,内层需要与包封EVA具有良好的粘接性能、优异的抗紫外能力和较高的光反射率;内层的选择一般为含氟膜或EVA膜两大类,虽然EVA膜较含氟膜相比具有价格便宜且粘结性好的特点,但是其抗紫外线性能和对中间层的保护性能上却存在致命缺陷,所以含氟膜还是内层材料的主要选择,但含氟膜存在与EVA粘结力较小的问题。表面接枝,等离子处理高反光率表面
中国专利CN103101268A公开了一种磨砂面聚偏氟乙烯薄膜及其制备方法,该专利通过聚偏氟乙烯层的组分及含量进行调整,使得制备的聚偏氟乙烯薄膜的表面为磨砂面,从而增强与EVA的粘结力。但与此同时因表面光泽度大幅下降,导致太阳能背板的光反射率大幅下降,一方面降低了光的利用率,另一方面光能被太阳能背板吸收会导致组件发热,降低使用寿命。
发明内容
本发明提供了一种单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜及其制备方法,用以解决目前太阳能背板无法兼顾EVA粘结力和高反射性的问题。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是:所述单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜,包括四层熔融共挤形成的从一侧到另一侧依次复合的外层、中间层、内层和反光层,所述外层和内层的材料均为聚偏氟乙烯,所述外层远离中间层的一面为磨砂面,所述反光层的材料为丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物(PVDF-g-P(AA))。
一般PVDF膜的表面改性,都是成膜后,通过化学或物理方法在PVDF膜表面进行改性,接枝改性后一般可以改善表面粘附力,本发明提供的改性方法是先进行PVDF接枝,然后通过四层共挤成膜,也就是增加了一个改性膜层,通过这种方式未能预料的在改善了与EVA粘结力的同时,反光层较内层PVDF薄膜相比表面光泽度提高了,浊度变小了,获得的背面膜的综合性能更加优异。
由于反光层光泽度过高,存放时会产生光污染,因此将背板膜外层设置为磨砂面,一方面可以增加与中间层的粘结力,也可以使背板膜一个表面较为柔和,易于存放。
进一步的,所述丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物通过自由基聚合的方法在PVDF聚合物分子上接枝丙烯酸。
进一步的,所述丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物中丙烯酸接枝率为0.5%-0.8%。
进一步的,所述反光层的原料包括丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物和抗紫外线剂,所述外层原料包括聚偏氟乙烯树脂、消光剂和抗紫外线剂。
进一步的,所述抗紫外线剂为粒径为20-50μm的钛白粉,所述消光剂为硅藻土或二氧化硅。
本发明还提供了上述单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜的制备方法,包括如下步骤:外层、中间层、内层和反光层薄膜的原料依次经过挤出机、多层共挤机头、冷却辊组和牵引卷绕机构复合成型;所述冷却辊组包括抛光辊和压花辊,所述抛光辊用于反光层的表面定型,所述压花辊用于外层的表面定型。
抛光辊具有高表面光泽度,可进一步提高反光层的表面光反射率,所述压花辊可以进一步保证外层表面的磨砂效果。
进一步的,共挤成型过程中,薄膜首先通过抛光辊对反光层表面定型形成高光面,然后在通过压花辊对外层表面定型形成哑光面。
进一步的,所述多层共挤机头包括外层机头、中间层机头、内层机头和反光层机头,所述反光层机头的机头温度为200-220℃。
进一步的,所述反光层薄膜的原料在进入反光层机头时的温度在180-200℃。
通过控制进入温度和机头温度,可以有效控制反光层的晶体结构组成,进一步提高反光层的表面光泽度。
进一步的,所述抛光辊的温度为25-35℃,所述压花辊的温度20-30℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的