[发明专利]单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜及制备方法有效
申请号: | 201610353453.1 | 申请日: | 2016-05-25 |
公开(公告)号: | CN105895722B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 唐超;李华 | 申请(专利权)人: | 苏州固泰新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/18;B32B27/30;B32B27/08 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 张佩璇 |
地址: | 215211 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单面 磨砂 反射 太阳能 背板 pvdf 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜,其特征在于,包括四层熔融共挤形成的从一侧到另一侧依次复合的外层、中间层、内层和反光层,所述外层和内层的材料均为聚偏氟乙烯,所述外层远离中间层的一面为磨砂面,所述反光层的材料为丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物,改性过程具体为首先进行聚偏氟乙烯接枝,然后通过四层共挤成膜。
2.根据权利要求1所述一种单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜,其特征在于,所述丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物通过自由基聚合的方法在聚偏氟乙烯分子上接枝丙烯酸。
3.根据权利要求1所述一种单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜,其特征在于,所述丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物中丙烯酸接枝率为0.5%-0.8%。
4.根据权利要求1所述一种单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜,其特征在于,所述反光层的原料包括丙烯酸接枝聚偏氟乙烯共聚物和抗紫外线剂,所述外层原料包括聚偏氟乙烯树脂、消光剂和抗紫外线剂。
5.根据权利要求4所述一种单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜,其特征在于,所述抗紫外线剂为粒径为20-50μm的钛白粉,所述消光剂为硅藻土或二氧化硅。
6.权利要求1-5任一所述单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:外层、中间层、内层和反光层薄膜的原料依次经过挤出机、多层共挤机头、冷却辊组和牵引卷绕机构复合成型;所述冷却辊组包括抛光辊和压花辊,所述抛光辊用于反光层的表面定型,所述压花辊用于外层的表面定型。
7.根据权利要求6所述单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜的制备方法,其特征在于,共挤成型过程中,薄膜首先通过抛光辊对反光层表面定型形成高光面,然后在通过压花辊对外层表面定型形成哑光面。
8.根据权利要求7所述单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜的制备方法,其特征在于,所述多层共挤机头包括外层机头、中间层机头、内层机头和反光层机头,所述反光层机头的机头温度为200-220℃。
9.根据权利要求8所述单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜的制备方法,其特征在于,所述反光层薄膜的原料在进入反光层机头时的温度在180-200℃。
10.根据权利要求8所述单面磨砂高反射太阳能背板用PVDF薄膜的制备方法,其特征在于,所述抛光辊的温度为25-35℃,所述压花辊的温度20-30℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的