[发明专利]一种近红外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610344859.3 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105895728B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张志伟;繆国庆;宋航;黎大兵;蒋红;李志明;陈一仁;孙晓娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种近红外探测器，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面的缓冲层；
位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；
位于所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层；
所述窗口层为P型二硫化钼层。
2.根据权利要求1所述的近红外探测器，其特征在于，所述衬底为N型砷化镓单晶衬底或N型磷化铟单晶衬底；
所述缓冲层和吸收层均为采用金属有机化合物化学气相沉积MOCVD法生长的铟镓砷层。
3.根据权利要求2所述的近红外探测器，其特征在于，构成所述铟镓砷层的铟镓砷化学式为InxGa1-xAs，其中x的取值范围为0.53-1，不包括端点值。
4.根据权利要求1所述的近红外探测器，其特征在于，所述二硫化钼层为至少一层P型二硫化钼薄膜。
5.根据权利要求1所述的近红外探测器，其特征在于，所述缓冲层的厚度的取值范围为50nm-500nm，包括端点值；
所述吸收层的厚度的取值范围为1.5μm-5μm，包括端点值。
6.一种近红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：
获取衬底；
在所述衬底表面生长缓冲层；
在所述缓冲层背离所述衬底一侧表面生长吸收层；
在所述吸收层背离所述缓冲层一侧表面制备P型二硫化钼层作为窗口层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底表面生长缓冲层包括：
在第一预设温度下，在所述衬底表面采用金属有机化合物化学气相沉积MOCVD法生长缓冲层；
将温度由第一预设温度升至第二预设温度，并保持第三预设温度第一预设时间，形成所述缓冲层。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述吸收层背离所述缓冲层一侧表面制备二硫化钼层作为窗口层包括：
采用化学气相沉积法在所述吸收层背离所述缓冲层一侧表面制备至少一层P型二硫化钼薄膜。
9.根据权利要求6-8任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底为N型砷化镓单晶衬底或N型磷化铟单晶衬底；
所述缓冲层和吸收层均为铟镓砷层。
10.根据权利要求9任一项所述的方法，其特征在于，构成所述铟镓砷层的化学式为InxGa1-xAs，其中x的取值范围为0.53-1，不包括端点值。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
