[发明专利]用于改善器件电学性能的方法以及半导体制造方法在审
| 申请号： | 201610307743.2 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105762075A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 董碧云;李志国;黄冲;朱云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 改善 器件 电学 性能 方法 以及 半导体 制造 | ||
1.一种用于改善器件电学性能的方法，其特征在于包括：
第一步骤：将快速热处理设备的所有灯泡划分成多个温度区；
第二步骤：为所述多个温度区内的灯泡分别设置各自的辐射温度；
第三步骤：在设置的各个辐射温度下，利用快速热处理设备对快速热处理设备中布置的硅片进行加热。
2.根据权利要求1所述的用于改善器件电学性能的方法，其特征在于，在第一步骤中，自内向外地将所有灯泡划分成多个温度区。
3.根据权利要求1或2所述的用于改善器件电学性能的方法，其特征在于，在第一步骤中，将所述灯泡按照布置的硅片的形状划分成多个温度区。
4.根据权利要求1或2所述的用于改善器件电学性能的方法，其特征在于，在第一步骤中，多个温度区包括最内的圆形区域以及与所述圆形区域同心布置的多个圆环形区域。
5.根据权利要求1或2所述的用于改善器件电学性能的方法，其特征在于，所述灯泡用于辐射特定波长的电磁波以对快速热处理设备中布置的硅片加热。
6.根据权利要求1或2所述的用于改善器件电学性能的方法，其特征在于，在第二步骤中，使得处于内部的温度区的灯泡的辐射温度高于处于外部的温度区的灯泡的辐射温度。
7.一种半导体制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至9之一所述的用于改善器件电学性能的方法。
8.根据权利要求7所述的半导体制造方法，其特征在于所述半导体制造方法用于制造集成电路。
9.根据权利要求7所述的半导体制造方法，其特征在于所述半导体制造方法用于制造诸如NMOS器件、PMOS器件、CMOS器件之类的数字电子器件。
10.根据权利要求7所述的半导体制造方法，其特征在于所述半导体制造方法用于制造诸如功率器件之类的模拟电子器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
