[发明专利]一种大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法在审
| 申请号： | 201610293366.1 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346728A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈龙 | 申请（专利权）人： | 上海芯晨科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 衬底 iii 氮化物 外延 生长 方法 | ||
1.一种大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一硅衬底；
将所述硅衬底放入反应腔体内，并使得所述硅衬底与水平面呈预设角度；所述预设角度大于0°；
在所述硅衬底正反两面同时外延生长III族氮化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：所述硅衬底为双面抛光硅片。
3.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：所述硅衬底采用(111)晶向硅。
4.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：外延生长过程中，所述硅衬底与水平面的夹角范围是75°-105°。
5.根据权利要求4所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：外延生长过程中，所述硅衬底与水平面的夹角为90°。
6.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：所述III族氮化物薄膜为单层或多层薄膜。
7.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：所述III族氮化物薄膜的厚度范围是5nm-100μm。
8.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：所述III族氮化物薄膜包括GaN层、AlN层、InN层、InGaN层及AlGaN层中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：所述硅衬底为6寸、8寸或12寸晶圆。
10.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：所述反应腔体为MOCVD反应腔体。
11.根据权利要求1所述的大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，其特征在于：通过在所述反应腔体内通入包括Ⅲ族元素的有机化合物和N的氢化物的晶体生长源材料，以热分解反应方式在所述硅衬底上进行气相外延，生长得到所述III族氮化物薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
