[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201610289340.X | 申请日: | 2016-05-04 |
公开(公告)号: | CN107346769B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 李传胜;高秉佑 | 申请(专利权)人: | 扬智科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
一种静电放电保护装置,包括静电放电保护单元以及控制电路。当信号输入端所接收到信号的电压位准达到静电保护电位时,静电放电保护单元将静电信号从信号输入端传递至系统电压端。控制电路用以藉由静电放电保护单元控制信号输入端以及系统电压端之间的导通状态。控制电路依据信号输入端所接收到的信号的电压位准及系统电压端的系统电压位准产生控制电压以控制静电放电保护单元,并且使静电放电保护单元在信号输入端所接收的信号的电压位准未达到静电保护电位时不传递信号至系统电压端。
技术领域
本发明是有关于一种电路保护装置,且特别是有关于一种具有防漏电能力的静电放电保护装置。
背景技术
电子元件(例如,集成电路)于实际环境中往往会遭受静电放电(electrostaticdischarge;ESD)的冲击。由于静电放电之电压常远高于正常状况下所提供的系统电压,因此当静电放电发生时,此静电放电电流很可能会将电子元件烧毁。因此必须对电子元件安排若干静电放电防护措施,释放静电放电电流以避免元件损毁。
目前常见的作法是在核心电路(Core Circuit)与信号垫(PAD)间,设计静电放电防护装置,以保护其内部电路。传统上使用例如包括串接二极体或栅极接地n型金氧半导体(gate-grounded N-type metal-oxide-semiconductor;GGNMOS)或栅极接电源p型金氧半晶体管(gate-connected to drain PMOS;GDPMOS)等元件来实作静电放电防护装置的电路。然而,一旦装置与装置之间有信号的传递且两装置的工作电压不同时,这样的静电放电防护装置便可能在静电放电现象实际并未发生时发生误动作而导致漏电流(Leakage)的情形。如此一来,静电放电防护装置的可靠度因而下降。
发明内容
本发明提供一种静电放电保护装置,可防止在正常模式时的信号电压位准下,误导通信号输入端与系统电压端之间的电流路径而导致漏电流,因此具有良好的静电放电保护能力。
本发明的静电放电保护装置包括静电放电保护单元以及控制电路。静电放电保护单元耦接在信号输入端以及系统电压端之间。当信号输入端所接收的信号的电压位准达到静电保护电位时,静电放电保护单元将信号从信号输入端传递至系统电压端。控制电路耦接至静电放电保护单元的控制端,并用以藉由静电放电保护单元控制信号输入端以及系统电压端之间的导通状态。控制电路依据信号输入端所接收到的信号的电压位准及系统电压端的系统电压位准产生控制电压以控制静电放电保护单元能牢牢紧闭,防止漏电流,并且使静电放电保护单元在信号输入端所接收的信号的电压位准未达到静电保护电位时不传递信号至系统电压端。
基于上述,本发明实施例设置控制电路于静电放电保护单元的控制端,并依据信号输入端所输入信号的电压位准以及系统电压端的系统电压位准来控制静电放电保护单元皆处于紧闭状态。据此,可在小面积的电路布局中,具有良好的静电放电保护能力并提升可靠度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1绘示本发明一实施例的静电放电保护装置的方块图。
图2绘示本发明一实施例的静电放电保护装置的方块图。
图3绘示本发明一实施例的静电放电保护装置的电路架构示意图。
图4绘示本发明一实施例的静电放电保护装置的电路图。
图5绘示本发明一实施例的静电放电保护装置的电路架构示意图。
图6绘示本发明一实施例的静电放电保护装置的电路图。
附图标记说明
100、200、300、500:静电放电保护装置
110、210、310、510:静电放电保护单元
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的