[发明专利]静电放电保护装置

权利要求书

1.一种静电放电保护装置，其特征在于，包括：

静电放电保护单元，耦接在信号输入端以及系统电压端之间，用以当该信号输入端所接收的信号的电压位准达到静电保护电位时，将该信号从该信号输入端传递至该系统电压端；以及

控制电路，耦接至该静电放电保护单元的控制端，用以藉由该静电放电保护单元控制该信号输入端以及该系统电压端之间的导通状态，

其中，该控制电路包括第一电压提供电路以及第二电压提供电路，该第一电压提供电路以及该第二电压提供电路分别耦接在该信号输入端以及该系统电压端之间，

其中，该控制电路依据该信号输入端所接收到的该信号的电压位准，来决定由该第一电压提供电路依据该信号的电压位准产生控制电压或是由该第二电压提供电路依据该系统电压端的系统电压位准产生该控制电压，该控制电路依据该控制电压以控制该静电放电保护单元，并且使该静电放电保护单元在该信号输入端所接收的该信号的该电压位准未达到该静电保护电位时不传递该信号至该系统电压端。

2.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该信号输入端所位在的电压域与该系统电压端所位在的电压域不同。

3.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该静电放电保护单元是P型金氧半晶体管以及N型金氧半晶体管的其中之一。

4.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，

当该信号输入端所接收的该信号的电压位准为高电压值时，该第一电压提供电路依据该信号的该高电压值而输出该控制电压，并且，

当该信号输入端所接收的该信号的电压位准为低电压值时，该第二电压提供电路依据该系统电压端的该系统电压位准而输出该控制电压。

5.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一电压提供电路包括：

第一晶体管，其中该第一晶体管的第二端耦接该信号输入端；以及

第一阻抗提供电路，其中该第一阻抗提供电路的第一端耦接该系统电压端，并且该第一阻抗提供电路的第二端耦接该第一晶体管的第一端以及该静电放电保护单元的该控制端。

6.如权利要求5所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第二电压提供电路包括：

第二阻抗提供电路，其中该第二阻抗提供电路的第二端耦接该信号输入端；以及

第二晶体管，其中该第二晶体管的第一端耦接该系统电压端，并且该第二晶体管的第二端耦接该第二阻抗提供电路的第一端。

7.如权利要求6所述的静电放电保护装置，其特征在于，该静电放电保护单元为晶体管，该第一晶体管以及该第二晶体管的低临界电压值皆略低于该静电放电保护单元之该晶体管的临界电压值。

8.如权利要求6所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一阻抗提供电路以及该第二阻抗提供电路分别由至少一个晶体管或至少一个电阻相互串接所组成。

9.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于，

该第一电压提供电路为第一晶体管，其中该第一晶体管的第一端耦接该系统电压端；以及

该第二电压提供电路为第二晶体管，其中该第二晶体管的控制端耦接该系统电压端，该第一晶体管的第二端以及第二晶体管的第一端耦接至该静电放电保护单元的控制端，并且该第二晶体管的第二端耦接该信号输入端以及该第一晶体管的控制端。

10.如权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于，该第一晶体管是N型金氧半晶体管以及P型金氧半晶体管的其中之一，并且该第二晶体管是N型金氧半晶体管以及P型金氧半晶体管的其中之另一。