[发明专利]多处气体馈送装置与方法

说明书

本申请是PCT国际申请号为PCT/US2009/061303、国际申请日为2009年10月20日、进入中国国家阶段的申请号为200980142491.0，题为“多处气体馈送装置与方法”的发明专利申请的分案申请

技术领域

本发明实施例提供用于将处理气体馈送至基材上多处的装置与方法。

背景技术

随着对较大太阳能板与平面显示器需求的持续增加，故基材以及用于处理基材的腔室的大小亦须增加。一种用于将材料沉积至太阳能板或平面显示器的基材上的方法为等离子体增强化学气相沉积(Plasmaenhancedchemicalvapordeposition,PECVD)。在等离子体辅助化学气相沉积中，处理气体通常经由中央气体馈送口引导至处理腔室中的喷气头各处。处理气体扩散通过喷气头，并藉由施加至喷气头的RF电流引燃成等离子体。等离子体笼罩设置在腔室的处理区中基材，并于基材的表面上沉积薄膜。随着基材大小的增加，设置在基材上的膜的均匀性变得愈趋困难。因此，现有技术仍需开发用于改善喷气头表面各处处理气体的均匀性的装置与方法。

发明内容

在本发明的一个实施例中，一种处理设备包含喷气头；背板，其与该喷气头相邻，使得气室形成在该背板与该喷气头之间；第一气源，其与穿过该背板的中央区形成的开口流体连通；以及第二气源，其与穿过该背板的角落区形成的开口流体连通。在另一实施例中，一种处理设备包含喷气头；背板，其与该喷气头相邻，使得气室形成在该背板与该喷气头之间，其中该气室包含中央区以及复数个角落区；第一气源，与该气室的中央区流体连通；第一质流控制器，其与该第一气源以及该气室的中央区流体连通；第二气源，其与该气室的至少一角落区流体连通；以及第二质流控制器，其与该第二气源以及该气室之该至少一角落区流体连通。

在另一实施例中，一种处理设备包含喷气头；背板，其与该喷气头并列，使得气室形成在该背板与该喷气头之间，其中该气室包含中央区以及复数个角落区；气源，与该气室的中央区以及角落区流体连通；第一质流控制器，其与该气源以及该气室的中央区流体连通；以及第二质流控制器，其与该气源以及该气室的该些角落区的至少一者流体连通。

在又一实施例中，一种用于沉积薄膜的方法包含将第一气体混合物导入气室的中央区中，该气室形成在处理设备的背板以及喷气头之间；将第二气体混合物导入该气室的角落区中；以及在扩散通过该喷气头前，实质上防止该第一气体混合物与该第二气体混合物混合。

附图说明

为了更详细地了解本发明的上述特征，可参照实施例(某些描绘于附图中)来理解本发明简短概述于上的特定描述。然而，需注意附图仅描绘本发明的典型实施例而因此不被视为其的范围的限制因素，因为本发明可允许其它等效实施例。

图1A是可使用本发明实施例形成的单一接点非晶或微晶硅太阳能电池的简化示意图。

图1B为太阳能电池的实施例的示意图，其中该太阳能电池为朝向光或太阳能辐射定向的多接面太阳能电池。

图2是可根据本发明一个实施例使用的处理腔室的示意剖面视图。

图3是根据本发明一个实施例，处理腔室的背板的示意等角视图。

图4是根据本发明的一个实施例，处理腔室的背板的示意等角视图。

图5是根据本发明一个实施例，处理腔室的背板的示意等角视图。

图6是根据本发明一个实施例，背板的示意底部视图。

具体实施方式

本发明的实施例大致提供用于将处理气体导入处理腔室中数个位置处的装置与方法。在一个实施例中，喷气头的中央区以及喷气头的角落区供给来自中央气源的处理气体，中央气源具有调控中央区中气流的第一质流控制器，以及调控角落区中气流的第二质流控制器。在另一实施例中，喷气头的中央区供给来自第一气源的处理气体，以及喷气头的角落区供给来自第二气源的处理气体。在另一实施例中，喷气头的中央区供给来自第一气源的处理气体，以及喷气头的每一角落区供给来自个别气源的处理气体。藉由独立地将处理气体馈送至喷气头的不同区域，可控制通过喷气头的处理气体的比例与气流，以提供基材表面各处改善的均匀性。本发明的部分实施例对用于太阳能电池制造的沉积微晶硅膜有显著效益。

本发明参照处理大面积基材的化学气相沉积系统(例如可得自加州圣塔克拉拉市应用材料公司的等离子体辅助化学气相沉积系统)进行下述说明。然而，当知可在其它系统构造中使用该装置与方法。