[发明专利]多处气体馈送装置与方法

权利要求书

1.一种处理设备，所述处理设备包含：

喷气头；

背板，所述背板与所述喷气头相邻，使得气室形成在所述背板与所述喷气头之间，其中，所述气室具有中央区和多个角落区；

第一气源，所述第一气源与穿过所述背板的中央区形成的第一开口流体连通；以及

第二气源，所述第二气源与穿过所述背板的所述角落区形成的多个第二开口流体连通，其中所述角落区中的每一个角落区具有穿过所述角落区中的每一个角落区而形成的所述多个第二开口中的一个第二开口。

2.根据权利要求1所述的处理设备，还包含：

第一质流控制器，所述第一质流控制器与所述第一气源流体连通，以控制通过穿过所述背板的所述中央区所形成的所述第一开口的气流。

3.根据权利要求2所述的处理设备，还包含：

第二质流控制器，所述第二质流控制器与所述第二气源流体连通，以控制通过穿过所述背板的每一角落区所形成的所述多个第二开口的气流。

4.根据权利要求3所述的处理设备，还包含：

分开的第二质流控制器，所述分开的第二质流控制器与所述第二气源以及穿过所述角落区而形成的所述第二开口中的每一个第二开口流体连通。

5.一种处理设备，所述处理设备包含：

喷气头；

背板，所述背板与所述喷气头相邻，使得气室形成在所述背板与所述喷气头之间，其中，所述气室包含中央区以及多个角落区；

第一气源，所述第一气源与所述气室的所述中央区流体连通；

第一质流控制器，所述第一质流控制器与所述第一气源以及所述气室的所述中央区流体连通；

第二气源，所述第二气源与所述气室的至少一个角落区流体连通；以及

第二质流控制器，所述第二质流控制器与所述第二气源以及所述气室的所述至少一个角落区流体连通，其中，所述气室的每一个角落区具有与所述气室的每一个角落区流体连通而受控的分开的第二质流。

6.根据权利要求5所述的处理设备，其中，所述第二气源包括多个第二气源，其中，所述气室的每一个角落区具有与所述气室的每一个角落区连通的第二气源。

7.一种处理设备，所述处理设备包含：

喷气头；

背板，所述背板与所述喷气头并列，使得气室形成在所述背板与所述喷气头之间，其中，所述气室包括中央区和多个角落区；

气源，所述气源与所述气室的所述中央区以及所述角落区流体连通；

第一质流控制器，所述第一质流控制器与所述气源以及所述气室的所述中央区流体连通；以及

多个第二质流控制器，所述多个第二质流控制器与所述气源以及所述气室的所述角落区中的每一个角落区流体连通，其中，每一个角落区与分开的第二质流控制器流体连通。

8.一种用于沉积薄膜的方法，所述方法包含以下步骤：

将第一气体混合物导入气室的中央区中，所述气室形成在处理设备的背板以及处理设备的喷气头之间，其中，所述中央区与第一质流控制器流体连通；

将第二气体混合物导入所述气室的一个或多个角落区中，其中所述一个或多个角落区中的每一个角落区与分开的第二质流控制器流体连通；以及

使所述第一气体混合物与所述第二气体混合物扩散通过所述喷气头。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一气体混合物包含约1:90与约1:110之间的硅基气体比氢气的比率。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二气体混合物包含约1:115与约1:125之间的硅基气体比氢气的比率。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述硅基气体选自由以下各项组成的组：单硅烷、二硅烷和二氯硅烷。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二气体混合物被导入所述气室的每一个角落区中。

13.根据权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括以下步骤：

将第三气体混合物导入所述气室的所述角落区中。