[发明专利]一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构在审
申请号: | 201610278738.3 | 申请日: | 2016-04-28 |
公开(公告)号: | CN105789344A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 钟宝申;李华;赵科雄 | 申请(专利权)人: | 乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/05 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710199 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 透明 电极 晶体 硅光伏 电池 串连 结构 | ||
1.一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在于,包括至少两个电池 片,电池片的正面电极为透明导电膜-金属复合电极,背面电极为透明导电膜-金属复合电极或 背面金属电极(9);相邻的电池片以正、背面电极通过Z型的细金属导线(8)连接,实现相 邻电池片的正、背面串联。
2.根据权利要求1所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在 于,所述的透明导电膜-金属复合电极包括:透明导电膜(2)和局部接触金属电极(4);局部 接触金属电极(4)以规则图案方式排布在晶体硅片表面的减反射膜/钝化膜(3)上,且局部 接触金属电极(4)穿透减反射膜/钝化膜(3)与晶体硅片形成局部欧姆接触;所述的透明导 电膜(2)设置在减反射膜/钝化膜(3)及局部接触金属电极(4)之上,并将局部接触金属电 极(4)连接成为复合电极的导电组合体。
3.根据权利要求1所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在 于,所述的透明导电膜-金属复合电极包括:设置在晶体硅片上的局部重掺杂区(5)和设置在 减反射膜/钝化膜(3)上的透明导电膜(2),减反射膜/钝化膜(3)设置在晶体硅片和局部重 掺杂区(5)上;所述的局部重掺杂区(5)按照规则图案布置在晶体硅片的正面或背面,所述 的局部重掺杂区(5)与对应位置的透明导电膜(2)直接接触,透明导电膜(2)将局部重掺 杂区(5)连接成为复合电极的导电组合体。
4.根据权利要求2或3所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特 征在于,所述的规则图案为一维、二维几何图形或一维与二维几何图形的组合;其中,一维几 何图案的线宽为20~500um,数量为5~100根,线长为2~156mm;二维几何图案的尺寸为 20~2000um,相邻两个图形中心距为0.5~10mm;其中,一维几何图形选自:线段、虚线段 或弧线;二维几何图形选自:圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
5.根据权利要求1所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在 于,所述的透明导电膜-金属复合电极包括:透明导电膜(2)和掺杂晶硅层(6),透明导电膜 (2)设置在掺杂晶硅层(6)之上,掺杂晶硅层(6)设置在隧穿层(7)之上,隧穿层(7) 设置在硅基体之上。
6.根据权利要求5所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在 于,所述的隧穿层(7)为氧化硅、二氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅的一种或多种薄膜 的叠层,隧穿层的厚度为1~10nm。
7.根据权利要求2或3或5任意一项所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连 接结构,其特征在于,所述的透明导电膜(2)上还设置有金属电极(1),细金属导线(8)与 金属电极(1)或背面金属电极(9)进行连接。
8.根据权利要求7所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在 于,金属电极(1)以规则图案方式排布在透明导电膜(2)上,所述的规则图案为一维、二维 几何图形或一维与二维几何图形的组合;其中,一维几何图案的线宽为20~500um,数量为5~ 100根,线长为2~156mm;二维几何图案的尺寸为20~2000um,相邻两个图形中心距为0.5~ 10mm;其中,一维几何图形选自:线段、虚线段或弧线;二维几何图形选自:圆形、椭圆形、 纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形。
9.根据权利要求1所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在 于,所述的细金属导线(8)为细铜线、银线、镀银铜线、铝线、镍线、金属合金线或复合金 属线,其直径为50~500um。
10.根据权利要求1所述的一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构,其特征在 于,所述的电池片为整片电池或分割后的非整片电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐叶光伏科技有限公司,未经乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610278738.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的