[发明专利]一种原位内氧化-还原法制备弥散强化铜粉的方法

说明书

技术领域

本发明属于粉末冶金技术领域，特别涉及一种原位内氧化-还原法制备弥散强化铜粉的方法。

背景技术

弥散强化是通过在金属基体中引入稳定、均匀、细小的氧化物质点，钉扎位错、晶界、亚晶界，阻碍位错的移动，从而强化材料的方法。弥散强化铜由于在铜基体中弥散分布着细小均匀的氧化物质点，其强度较高，软化温度高；同时细小弥散分布的氧化物质点又不会对铜合金本身的导电导热性造成不良影响，使得弥散强化铜在提高强度的同时还能保持自身优异的导电导热性。因此，弥散强化铜是综合导电性、导热性、室温和高温强度、硬度和耐磨性、抗熔焊性能最高的铜合金。目前，弥散强化铜已经在汽车、电池、电子封装、微波器件等工业领域中得到了广泛的应用。弥散强化铜是制备电阻焊电极、缝焊滚轮、电器工程开关触桥、发电机集电环、电枢、转子、连铸机结晶器内衬、集成电路引线框架、电车及电力火车架空导线等的优良材料。

现有技术中，弥散强化铜粉的制备方法包括机械混合法、共沉淀法、机械合金化法、内氧化法等，采用这些方法制备得到的弥散强化铜粉的弥散相分布不够均匀，而且操作较为复杂。传统的内氧化法需额外添加氧化亚铜粉末作为内氧化反应的氧源，依靠机械混合方式将氧化亚铜粉混入雾化合金粉中，产品中无法避免出现弥散相分布不均匀现象，最终影响制品的综合性能。

有鉴于此，本发明提供了一种无需额外添加氧化亚铜粉作为氧源的原位内氧化--还原技术，该技术使雾化铜粉在水体系中反应生成氧化亚铜，即固溶合金粉末自身就带有内氧化反应所需氧源，故而无需添加新的氧源。在内氧化反应结束后，即铜基体中已生成大量弥散态分布的氧化铝纳米粒子后，再将粉末中富余的氧化亚铜用氢气进行还原，最终制得纯净的氧化铝弥散强化铜粉。该制造方法简单易行，工艺流程稳定可靠，且内氧化反应和还原反应可在同一台隧道炉中连续进行，适合工业化规模生产。

发明内容

本发明的目的在于：针对现有技术的不足，提供一种原位内氧化—还原制备弥散强化铜粉的方法，通过原位内氧化--还原过程，可以制得弥散相分布均匀的弥散强化铜粉，而且整个方法简单易行。

为了实现上述目的，本发明所采用如下技术方案：

一种原位内氧化--还原制备弥散强化铜粉的方法，采用该方法制备得到的弥散强化铜粉中，铝的质量分数为0.1%~1.5%，余量为铜；该方法包括如下步骤：

第一步，将Cu和Al按照质量比例（98.5~99.9）：（1.5~0.1）投入石墨坩埚中进行熔炼，使金属Cu和金属Al相互固溶，形成铜铝固溶合金熔液；

第二步，采用气水雾化法将铜铝固溶合金熔液雾化成粉末；首先用高压气体作为雾化介质来破碎连续的熔融金属细流，获得直径在10μm-100μm范围内的金属粉末，随后，采用纯水对雾化粉末进行快速冷却和收集，得到成分均匀且固溶度高的粉浆。

第三步，将第二步获得的粉浆在80℃~100℃下水浴加热1h~24h，加热过程中向粉浆中持续通入空气，在此过程中，铜铝固溶合金粉在水体系中发生不完全的氧化反应，颗粒表面生成大量的氧化亚铜，此时反应产物为深紫红色粉浆；

第四步，对粉浆进行过筛，选取粒径小于100目的粉末，这种粉末的粒度较小，便于后续的内氧化—还原反应深入到粉体颗粒内部。随后，粉浆经过脱水后，在室温-100℃条件下干燥，除去粉末中的水分，然后将粉末松散地堆放于不锈钢盘中，松散堆放便于气体进入使反应充分进行。将不锈钢盘置于还原炉中，先通入氮气，由于氧化铝的标准生成自由能比氧化亚铜更负，在控制温度及氧分压的条件下，将优先发生内氧化反应：2Al+3Cu₂O→Al₂O₃+6Cu（在氮气气氛，400℃~600℃高温环境下），内氧化反应时间为1h~6h；在此过程中，以单质形态存在的Al原子与氧化亚铜之间发生内氧化反应：铝夺取氧化亚铜中的氧原子生成氧化铝，同时氧化亚铜还原为单质铜；待内氧化反应完成后，在还原炉中继续通入氢气，使富余的氧化亚铜被氢气还原为单质铜，反应式：Cu₂O+H₂→H₂O+2Cu；还原时间为1-4h。如此即可获得纯净的，含有相应设计配比的氧化铝弥散强化铜粉。