[发明专利]一种静电吸附盘及其位置调整方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种静电吸附盘及其位置调 整方法。

背景技术

静电吸附盘是一种集成射频(RadioFrequency,RF)传导、静电吸附，以 及温度传感于一体的部件，其在刻蚀工艺过程中起着至关重要的作用。所述 静电吸附盘均居中设置在工艺腔室内，并用于吸附待工艺处理之晶圆。理论 上，所述待工艺处理之晶圆亦处于等离子体的居中位置。

但是，在实际的工艺处理过程中，晶圆在工艺腔室内的位置，系通过传 送手臂将晶圆传送至静电吸附盘(ElectrostaticChuck,ESC)上，而这个位置 依靠人眼一次定位，主观性强。明显地，所述晶圆在工艺腔室内的位置存在 着微小误差，这种位置误差来自多个方面，例如：每次例行维护保养后部件 的摆放位置误差、手臂传送位置误差，以及静电吸附盘吸附晶圆时受力不均 匀导致的位置误差等。

作为本领域技术人员，容易知晓地，所述位置误差势必导致晶圆在工艺 腔室内的位置在每次工事或者维护后均存在差异，且不一定维持在绝对中心 位置，进而使得跑货时的位置亦存在细小差别。然而，在如今半导体的关键 尺寸越来越小的背景下，所述对边缘细小差异导致的结果将会被放大，影响 产品良率。

寻求一种结构简单、使用方便，并可准确调整待工艺处理之晶圆位于工 艺腔室内的居中位置之静电吸附盘及其位置调整方法成为本领域技术人员亟 待解决的技术问题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验， 积极研究改良，于是有了本发明一种静电吸附盘及其位置调整方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统静电吸附盘在晶圆吸附的过程中位置存 在微小误差，且所述位置误差势必导致晶圆在工艺腔室内的位置在每次工事 或者维护后均存在差异，且不一定维持在绝对中心位置，进而使得跑货时的 位置亦存在细小差别，而使得所述对边缘细小差异导致的结果将会被放大， 影响产品良率等缺陷提供一种静电吸附盘。

本发明之第二目的是针对现有技术中，传统静电吸附盘在晶圆吸附的过 程中位置存在微小误差，且所述位置误差势必导致晶圆在工艺腔室内的位置 在每次工事或者维护后均存在差异，且不一定维持在绝对中心位置，进而使 得跑货时的位置亦存在细小差别，而使得所述对边缘细小差异导致的结果将 会被放大，影响产品良率等缺陷提供一种静电吸附盘的位置调整方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种静电吸附盘，所述静电吸附盘具 有承载所述静电吸附盘的基座，所述静电吸附盘之基座在水平方向上位置可 调。

可选地，所述静电吸附盘，包括：基座，所述基座上设置静电吸附盘； 第一轨道和第二轨道，所述第一轨道和所述第二轨道在水平方向上呈垂直相 交，并设置在所述基座之异于所述静电吸附盘的一侧；第一驱动电机和第二 驱动电机，所述第一驱动电机通过第一运动轴驱动具有基座的所述静电吸附 盘沿着第一轨道运动，所述第二驱动电机通过第二运动轴驱动具有基座的所 述静电吸附盘沿着第二轨道运动。

可选地，所述静电吸附盘进一步包括：动态对位传感器，所述动态对位 传感器检测所述待工艺处理之晶圆的中心位置，并通过外部控制器调节具有 基座的所述静电吸附盘在第一轨道和第二轨道上的位置。

可选地，所述第一轨道沿X轴线方向设置，所述第二轨道沿Y轴线方向 设置。

可选地，所述第一轨道沿Y轴线方向设置，所述第二轨道沿X轴线方向 设置。

为实现本发明之第二目的，本发明提供一种静电吸附盘之位置调整方法， 所述静电吸附盘之位置调整方法，包括：

执行步骤S1a：获取待工艺处理之晶圆在线或离线状态下的位置反馈数 据；

执行步骤S2a：依据所获得之位置反馈数据，所述第一驱动电机通过第一 运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第一轨道运动，所述第二驱动电 机通过第二运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第二轨道运动。

可选地，一种静电吸附盘之位置调整方法，包括：

执行步骤S1b：通过所述动态对位传感器检测所述待工艺处理之晶圆的中 心位置；

执行步骤S2b：通过外部控制器调节具有基座的所述静电吸附盘在第一轨 道和第二轨道上的位置。

可选地，具有基座的所述静电吸附盘在水平位置调整后，所述待工艺处 理之晶圆位于所述静电吸附盘的居中位置。