[发明专利]一种静电吸附盘及其位置调整方法在审
申请号: | 201610250584.7 | 申请日: | 2016-04-21 |
公开(公告)号: | CN105655280A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 邵克坚;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 吸附 及其 位置 调整 方法 | ||
1.一种静电吸附盘,具有承载所述静电吸附盘的基座,其特征在于,所述静电吸附盘之基座在水平方向上位置可调。
2.如权利要求1所述的静电吸附盘,其特征在于,所述静电吸附盘,包括:
基座,所述基座上设置静电吸附盘;
第一轨道和第二轨道,所述第一轨道和所述第二轨道在水平方向上呈垂直相交,并设置在所述基座之异于所述静电吸附盘的一侧;
第一驱动电机和第二驱动电机,所述第一驱动电机通过第一运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第一轨道运动,所述第二驱动电机通过第二运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第二轨道运动。
3.如权利要求2所述的静电吸附盘,其特征在于,所述静电吸附盘进一步包括:动态对位传感器,所述动态对位传感器检测所述待工艺处理之晶圆的中心位置,并通过外部控制器调节具有基座的所述静电吸附盘在第一轨道和第二轨道上的位置。
4.如权利要求2~3任一权利要求所述的静电吸附盘,其特征在于,所述第一轨道沿X轴线方向设置,所述第二轨道沿Y轴线方向设置。
5.如权利要求2~3任一权利要求所述的静电吸附盘,,其特征在于,所述第一轨道沿Y轴线方向设置,所述第二轨道沿X轴线方向设置。
6.一种如权利要求2所述的静电吸附盘之位置调整方法,其特征在于,所述静电吸附盘之位置调整方法,包括:
执行步骤S1a:获取待工艺处理之晶圆在线或离线状态下的位置反馈数据;
执行步骤S2a:依据所获得之位置反馈数据,所述第一驱动电机通过第一运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第一轨道运动,所述第二驱动电机通过第二运动轴驱动具有基座的所述静电吸附盘沿着第二轨道运动。
7.一种如权利要求3所述的静电吸附盘之位置调整方法,其特征在于,所述静电吸附盘之位置调整方法,包括:
执行步骤S1b:通过所述动态对位传感器检测所述待工艺处理之晶圆的中心位置;
执行步骤S2b:通过外部控制器调节具有基座的所述静电吸附盘在第一轨道和第二轨道上的位置。
8.如权利要求6~7任一权利要求所述的静电吸附盘之位置调整方法,其特征在于,具有基座的所述静电吸附盘在水平位置调整后,所述待工艺处理之晶圆位于所述静电吸附盘的居中位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造