[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201610224615.1 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN107293564A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 牟鑫;李艳虎 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
目前,对于顶发射型的透明OLED,为了提高透过率,往往会将阴极做得很薄,阴极太薄一方面导致微腔(micro-cavity)效应减弱,从而引起绿光和红光器件效率的下降;另一方面,会造成OLED封装时残留的水氧入侵,造成OLED器件的寿命变差。
传统的顶发射透明OLED阴极采用普通金属掩膜(Common Metal Mask,简称CMM)制备,为了提高透明度,阴极必须镀得非常薄(如15-25nm),一方面阴极太薄更容易受到水氧的侵蚀而影响OLED的寿命;另一方面,由于采用CMM,如图1和图2所示,几乎整个OLED面板的有效区域(Active Area,AA区)都蒸镀有金属阴极,因此其透过率不佳,透过率很难突破30%。而为了提高OLED的透过率,如图3和图4所示,采用精细金属掩膜(Fine Metal Mask,简称FMM)在OLED像素区蒸镀阴极,非像素区由于被遮挡而未蒸镀阴极,这样可以提高透明OLED面板的透明度,但其制程较复杂,需要使用两张FMM,第一张FMM在像素区蒸镀金属阴极,第二张 FMM需要将各独立的像素用金属桥接起来,并且为了提高透过率,第二张FMM的开口要尽量小,这样遮挡的面积就小一些,但开口太小会造成FMM制作太困难,开口精度很难控制。开口太大,一方面面板透过率会降低,另一方面会造成FMM强度的降低,容易变形,这是本领域技术人员所不期望的。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明实施例公开了一种OLED显示面板,包括:
衬底,设置有像素区和非像素区;
若干第一电极,设置在所述像素区中;
若干发光层,分别对应设置在所述第一电极上,且任一所述发光层用以发射单一波长的光,若干所述发光层发射至少包括三种不同波长的光;
若干第二电极,分别对应设置于所述发光层之上;
增透膜,设置于所述第二电极之上,且其在衬底上的正投影与所述像素区和非像素区重叠;
其中,所述增透膜包括透明导电层,且所述透明导电层将相邻的所述第二电极予以电连接。
本发明实施例还公开了一种OLED显示面板的制备方法,包括:
提供一衬底,所述衬底具有像素区和非像素区;
于所述衬底的像素区中形成若干第一电极;
于所述若干第一电极之上分别对应形成若干发光层,且任一所述发光层用以发射单一波长的光,若干所述发光层发射至少包括三种不同波长的光;
于每个所述发光层之上均对应形成第二电极;
于所述第二电极之上形成增透膜,且其在衬底上的正投影与所述像素区和非像素区重叠;
其中,制备所述增透膜包括透明导电层,且所述透明导电层将相邻的所述第二电极予以电连接。
上述发明具有如下优点或者有益效果:
本发明实施例公开了一种OLED显示面板及其制备方法,通过设置阴极(第二电极)仅覆盖RGB发光层,并在阴极上设置包括透明导电层及叠置于该透明导电层之上的若干增透层的增透膜,且该增透膜在衬底上的正投影与像素区和非像素区重叠,一方面起导电作用,将相邻的阴极之间予以电连接,进而将主动式有机发光二极管的所有像素连接起来;另一方面,有利于解决金属阴极太薄引起的OLED寿命不佳的问题;同时,由于相邻的增透层之间反射光线干涉相消还具有增加透过率的作用。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图,重点在于示出本发 明的主旨。
图1是背景技术中一OLED显示面板的结构示意图;
图2是图1中阴极覆盖区域的俯视图;
图3是背景技术中另一OLED显示面板的结构示意图;
图4是图3中阴极覆盖区域的俯视图;
图5是本发明实施例中阴极层覆盖区域的俯视图;
图6是本发明实施例中增透膜覆盖区域的俯视图;
图7是本发明实施例中OLED显示面板的剖面结构示意图;
图8是本发明实施例中三层增透膜结构示意图;
图9是本发明实施例中四层增透膜结构示意图;
图10是本发明实施例中五层增透膜结构示意图;
图11是本发明实施例中制备OLED显示面板的方法流程图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司,未经上海和辉光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610224615.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的