[发明专利]一种小型LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种小型LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的N型半导体层、发光层、及P型半导体层，其特征在于，所述LED芯片上形成有贯穿P型半导体层、发光层及部分N型半导体层的通孔，所述P型半导体层上形成有未覆盖通孔区域的透明导电层，所述LED芯片上在通孔侧壁、以及通孔旁侧部分透明导电层上形成有电流阻挡层，所述电流阻挡层上及通孔内形成有与N型半导体层电性连接的N电极，透明导电层上形成有与P型半导体层电性连接的P电极，所述衬底为图案化衬底，所述N电极为反射电极。

2.根据权利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述透明导电层覆盖于部分P型半导体层上，透明导电层的面积小于P型半导体层的面积。

3.根据权利要求2所述的小型LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层还覆盖于未被透明导电层覆盖的P型半导体层上。

4.根据权利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述N电极的俯视投影位于电流阻挡层内。

5.根据权利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述LED芯片设有保护层，所述保护层位于透明导电层、电流阻挡层上方且至少露出部分N电极及部分P电极。

6.根据权利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述通孔的截面形状为圆形、椭圆形、方形、或不规则形状。

7.根据权利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石图案化衬底、Si图案化衬底、或SiC图案化衬底。

8.一种小型LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底，所述衬底为图案化衬底；

在衬底上外延生长N型半导体层、发光层、及P型半导体层；

通过MESA光刻，形成贯穿P型半导体层、发光层及部分N型半导体层的通孔；

在P型半导体层上形成有未覆盖通孔区域的透明导电层；

在通孔侧壁、以及通孔旁侧部分透明导电层上形成电流阻挡层；

在电流阻挡层上及通孔内形成与N型半导体层电性连接的N电极，在透明导电层上形成与P型半导体层电性连接的P电极。

9.根据权利要求8所述的小型LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在透明导电层、电流阻挡层上方形成保护层，并光刻至少露出部分N电极及部分P电极。

10.根据权利要求8所述的小型LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法中：

透明导电层通过涂抹正性光刻胶并光刻形成；

电流阻挡层通过涂抹负性光刻胶并光刻形成。