[发明专利]一种散射层的制备方法、有机发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种散射层的制备方法，以及应用由该方法制备的散射层的有机发光二极管。

背景技术

有机发光二极管(英文全称：Organic Light-Emitting Diode，简称：OLED)是一种具有自发光特性的显示技术，其采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。由于OLED具有高对比度、广视角、低功耗、结构简单、轻薄柔性等特点，其正在逐步替代薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，是目前受到最多关注的技术之一。

但是，光在OLED器件中传播时，不可避免地会形成等离子模式、波导模式和衬底模式等多种模式。这些模式都会导致OLED器件发出的光不能高效率的耦合到空气中，即限制了OLED的出光效率。在上述这些模式中，波导模式是限制OLED的出光率的主要阻碍因素。

为了减少波导模式的产生，通常采用两种方法：一种方法是利用光子晶体来减少波导模式，即在ITO表面进行离子束刻蚀，形成有序结构，与相邻的有机材料层形成二维的光子晶体，但这种方法的制作过程复杂、造价昂贵，或者在ITO和玻璃基底之间，用纳米压印的办法制作一层光子晶体，，由于不同的光子晶体周期需要制作不同尺度的压印模板，使得其制造成本大大提高。另一种方法是增加散射层，在ITO和有机材料之间，利用光刻法制作一层低折射率的SiO₂网格结构的散射层，其制作出的散射层虽然可以减少波导模式，但制程复杂、各有机层呈波浪式堆叠导致的难于控制各自的制程参数；或者在ITO和玻璃基底之间制作一层掺杂不同质量分数和大小的低折射率颗粒或气泡的散射层，由于颗粒间差异较大，使得散射的效果很难控制。

因此，有必要提供一种散射层的制备方法，以及应用由该方法制备的散射层的有机发光二极管，使得散射层的制备过程简单化、制作成本降低，同时可以批量生产具有散射效果高度可控的散射层；应用本方法制备的散射层的有机发光二极管中，因散射层的存在使得原本发生全反射的光出射，从而减少波导模式的出现，增加OLED的出光率。

发明内容

本发明实施例提供一种散射层的制备方法，以及应用由该方法制备的散射层的有机发光二极管；本发明提供的方法解决了现有的减少波导模式产生的方法中所带来的制作过程复杂、散射效果难以控制以及制作成本高昂等问题；同时，应用由该方法制备的散射层的有机发光二极管可以大大减少波导模式的产生，增加了有机发光二极管的出光率。

本发明实施例提供一种散射层的制备方法，其包括：

在基底上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板；

在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料；

完成沉积具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，从而在基底上形成若干个突起结构；

在若干个突起结构之间沉积具有第二折射率值的材料，形成平坦层，所述平坦层用于将若干个突起结构平坦化，从而在基底上制备出由若干个突起结构和平坦层组成的散射层，其中第二折射率值大于第一折射率值。

在本发明所述的散射层的制备方法中，在基底上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板的方法包括：

在基底上采用开放式掩膜板，通过真空蒸镀或者物理气相沉积法制备具有与开放式掩膜板的图案相同的铝膜；

对制备出的铝膜进行第一次阳极氧化，并洗去氧化生成的氧化铝，形成具有若干个六方密堆积结构的凹槽的铝膜；

将具有若干个六方密堆积结构的凹槽的铝膜进行第二次阳极氧化，直至将凹槽下方的铝全部氧化形成孔洞结构为止。

在本发明所述的散射层的制备方法中，在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料的步骤中，采用的沉积方法包括：真空蒸镀、物理气相沉积、化学气相沉积或者脉冲激光沉积。

在本发明所述的散射层的制备方法中，所述的突起结构包括：半球型突起结构或者柱状突起结构。

在本发明所述的散射层的制备方法中，具有第一折射率值的材料包括：硅-玻璃键合结构材料、二氧化硅和气凝胶中的一种或者多种。

在本发明所述的散射层的制备方法中，具有第二折射率值的材料包括氮化硅、氧化铟锡和硒化锌中的一种或者多种。

本发明实施例还提供另外一种散射层的制备方法，其包括：

在铝箔上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板，并将掩膜板转移至基底上；

在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料；

完成沉积具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，从而在基底上形成若干个突起结构；