[发明专利]有机电致发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201610195135.7 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN106025100B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 邱俊凯;宋兆峰;陈承义;谢咏明 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明总体上涉及一种有机电致发光装置和一种用于制造有机电致发光装置的方法。
背景技术
有机电致发光装置量子效率高且功耗低,已被广泛地用于显示和照明领域。由于有机电致发光装置具有重量轻并且演色性良好的优点,所以有机电致发光装置被认为是下一代显示和照明装置的主流。当前,有机电致发光装置的制造成本不易降低,因此提出了多种不同针对量产的卷对卷(roll-to-roll)工艺和设备。
然而,前述用于制造有机电致发光装置的卷对卷工艺会遇到严重的对准问题(即制造出的有机电致发光装置的堆叠层之间发生错误对准),这样会导致合格率(yield rate)很低。前述用于制造有机电致发光装置的卷对卷工艺还会遇到产出量问题(throughput issue)。因此,需要有解决方案能解决卷对卷工艺期间的对准和产出量问题。
发明内容
因此,本发明提出一种有机电致发光装置和一种用于制造有机电致发光装置的方法。
根据本发明的一个方面,提供了一种用于制造有机电致发光装置的方法。该方法包含:在衬底上形成第一导电层,所述第一导电层包含第一电极和第一接触图案,所述第一接触图案与所述第一电极电绝缘;在所述第一导电层上形成第一掩模,所述第一掩模包含离型薄膜、基底薄膜和至少一个开口,所述基底薄膜安置于所述离型薄膜和所述第一导电层之间,所述至少一个开口用于暴露所述第一电极的至少一个部分和所述第一接触图案的一部分;通过第二掩模的遮蔽而形成图案化有机功能层,所述图案化有机功能层覆盖所述第一掩模的一部分和所述第一电极的被所述第一掩模暴露的所述至少一个部分,并且所述第二掩模安置在所述第一掩模上,以遮蔽被所述第一掩模暴露的所述第一电极的至少一个部分和被所述第一掩模暴露的所述第一接触图案的所述部分;在形成所述图案化有机功能层之后移除所述第二掩模;在所述图案化有机功能层、所述第一掩模、被所述第一掩模暴露的所述第一电极的所述至少一个部分和被所述第一掩模暴露的所述第一接触图案的所述部分上形成第二导电层;以及通过移除所述离型薄膜和在所述离型薄膜上的部分所述第二导电层,以将所述第二导电层图案化而形成电连接到所述第一接触图案的第二电极和电连接到所述第一电极的第二接触图案。
根据本发明的另一份方面,还提供了一种有机电致发光装置。该有机电致发光装置包含:衬底;第一导电层,其形成于所述衬底上,所述第一导电层包括第一电极和第一接触图案,其中所述第一接触图案与所述第一电极电绝缘;基底薄膜,其安置在所述第一导电层上,所述基底薄膜包括至少一个开口,用于暴露所述第一电极的至少一个部分和所述第一接触图案的一部分;图案化有机功能层,其安置在被所述基底薄膜暴露的所述第一电极的所述部分上;以及第二导电层,其包括第二电极和第二接触图案,所述第二电极安置在所述有机功能层和被所述基底薄膜暴露的所述第一接触图案的部分上,所述第二接触图案安置在被所述基底薄膜暴露的所述第一电极的至少一个部分上,其中所述第二电极电连接到所述第一接触图案,并且所述第二接触图案电连接到所述第一电极。
附图说明
包含附图是为了便于进一步理解本发明,并且附图并入在本说明书中且构成本说明书的一部分。图式说明本发明的实施例,并且与说明书一起解释本发明的原理。
图1A至图1H示意性地说明了一个实施例中用于制造有机电致发光装置的方法。
图2A至图2H是沿图1A至图1H中的横截面A-A′的横截面图。
图2I是沿图1H中的横截面B-B′的横截面图。
图2J是沿图1H中的横截面C-C′的横截面图。
图2K是沿图1H中的横截面D-D′的横截面图。
【元件符号说明】
100:有机电致发光装置
110:衬底
120:第一导电层
121:第一电极
121a、121b:电极部分
122:第一接触图案
122a、122b:接触图案部分
130:第一掩模
131:离型薄膜
132:基底薄膜
140:第二掩模
141:屏蔽条
150:有机功能层
160:第二导电层
161:第二电极
161a、161b:电极部分
162:第二接触图案
170:包封层
D1:传输方向
D2:方向
G:空隙
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择