[发明专利]一种垂直LED芯片

说明书

技术领域

本发明属于LED芯片领域，涉及一种垂直LED芯片，特别是涉及一种雪花型垂直LED 芯片。

背景技术

发光二极管(LED，LightEmittingDiode)是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结 作为发光材料，可以直接将电转换为光。

在各种半导体材料中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、 发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，而在高亮度蓝光发光二极管、蓝 光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。

传统型LED在大电流下表现的电流拥挤，电压高等劣势使得垂直LED芯片在大功率芯 片应用上显得优势明显。就目前垂直芯片而言，依然存在金属电极区域电流拥塞(current crowding)，电流拥塞一方面降低芯片寿命，一方面降低芯片发光效率。

通常LED垂直芯片呈四边形，两个电极分别在LED外延层的两侧，电流几乎全部垂直 流过LED外延层，极少有横向流动的电流，电流分布不均匀，芯片发光效率低，

因此，提供一种有利于电流扩展的LED垂直芯片结构布实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种垂直LED芯片，用于解决现 有技术中垂直LED芯片存在电流拥塞，发光效率低等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种垂直LED芯片，所述垂直LED芯片 至少包括：

表面具有N型GaN层的多边形垂直LED芯片；

电极，形成于所述N型GaN层表面，所述电极包括中心焊垫、与所述中心焊垫电连并由 所述焊垫指向芯片边缘的多插指主电极。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，所述多插指主电极均匀分布在所述中心焊 垫的四周。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，所述多插指主电极远离所述中心焊垫的一 端为尾端，所述尾端距离所述垂直LED芯片边缘8～12mil。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，所述多边形垂直LED芯片为六边形，所 述多插指主电极为六插指主电极。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，在每根插指主电极上还设置有至少一根次 电极。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，在每根插指主电极上还设置有一根次电 极，所述次电极位于插指主电极尾端1/3处。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，所述电极整体呈雪花型。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，所述多插指主电极的根数与所述垂直LED 芯片的边数一致。

作为本发明垂直LED芯片的一种优化的结构，所述表面具有N型GaN层的多边形垂直 LED芯片至少包括：导电衬底以及依次形成在所述导电衬底上的键合层、反射层、P型GaN 层、多量子阱层以及N型GaN层。

如上所述，本发明的垂直LED芯片，包括：表面具有N型GaN层的多边形垂直LED芯 片；电极，形成于所述N型GaN层表面，所述电极包括中心焊垫、与所述中心焊垫电连并由 所述焊垫指向芯片边缘的多插指主电极。本发明的垂直LED芯片通过芯片形状设计以及电极 分布设计，提高了芯片的电流扩展能力以及芯片出光效率，从而进一步提高了芯片发光效率。

附图说明

图1显示为本发明垂直LED芯片的结构俯视图。

图2显示为本发明垂直LED芯片的结构剖面图。

元件标号说明

1多边形垂直LED芯片

11导电衬底

12键合层

13反射层

14P型GaN层

15多量子阱层

16N型GaN层

2电极

21中心焊垫

22多插指主电极

23次电极

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭 露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。