[发明专利]一种垂直LED芯片在审

专利信息
申请号: 201610169124.1 申请日: 2016-03-23
公开(公告)号: CN105633237A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 于婷婷;徐慧文;李起鸣 申请(专利权)人: 映瑞光电科技(上海)有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/38
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 唐棉棉
地址: 201306 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 垂直 led 芯片
【权利要求书】:

1.一种垂直LED芯片,其特征在于,所述垂直LED芯片至少包括:

表面具有N型GaN层的多边形垂直LED芯片;

电极,形成于所述N型GaN层表面,所述电极包括中心焊垫、与所述中心焊垫电连 并由所述焊垫指向芯片边缘的多插指主电极。

2.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多插指主电极均匀分布在所述 中心焊垫的四周。

3.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多插指主电极远离所述中心焊 垫的一端为尾端,所述尾端距离所述垂直LED芯片边缘8~12mil。

4.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多边形垂直LED芯片为六边形, 所述多插指主电极为六插指主电极。

5.根据权利要求1或4所述的垂直LED芯片,其特征在于:在每根插指主电极上还设置有 至少一根次电极。

6.根据权利要求5所述的垂直LED芯片,其特征在于:在每根插指主电极上还设置有一根 次电极,所述次电极位于插指主电极尾端1/3处。

7.根据权利要求6所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述电极整体呈雪花型。

8.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多插指主电极的根数与所述垂 直LED芯片的边数一致。

9.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述表面具有N型GaN层的多边形 垂直LED芯片至少包括:导电衬底以及依次形成在所述导电衬底上的键合层、反射层、P 型GaN层、多量子阱层以及N型GaN层。

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