[发明专利]一种垂直LED芯片在审
申请号: | 201610169124.1 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN105633237A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 于婷婷;徐慧文;李起鸣 | 申请(专利权)人: | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/38 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 唐棉棉 |
地址: | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 垂直 led 芯片 | ||
1.一种垂直LED芯片,其特征在于,所述垂直LED芯片至少包括:
表面具有N型GaN层的多边形垂直LED芯片;
电极,形成于所述N型GaN层表面,所述电极包括中心焊垫、与所述中心焊垫电连 并由所述焊垫指向芯片边缘的多插指主电极。
2.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多插指主电极均匀分布在所述 中心焊垫的四周。
3.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多插指主电极远离所述中心焊 垫的一端为尾端,所述尾端距离所述垂直LED芯片边缘8~12mil。
4.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多边形垂直LED芯片为六边形, 所述多插指主电极为六插指主电极。
5.根据权利要求1或4所述的垂直LED芯片,其特征在于:在每根插指主电极上还设置有 至少一根次电极。
6.根据权利要求5所述的垂直LED芯片,其特征在于:在每根插指主电极上还设置有一根 次电极,所述次电极位于插指主电极尾端1/3处。
7.根据权利要求6所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述电极整体呈雪花型。
8.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述多插指主电极的根数与所述垂 直LED芯片的边数一致。
9.根据权利要求1所述的垂直LED芯片,其特征在于:所述表面具有N型GaN层的多边形 垂直LED芯片至少包括:导电衬底以及依次形成在所述导电衬底上的键合层、反射层、P 型GaN层、多量子阱层以及N型GaN层。
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