[发明专利]一种高精度电阻布局方法及高精度电阻有效
申请号: | 201610147252.6 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN105655332B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 梁超 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 电阻 布局 方法 | ||
本发明涉及一种高精度电阻布局方法及高精度电阻,包括2N个单位电阻,其中N个单位电阻横向放置,另一半N个单位电阻竖向放置。本发明解决了现有的电阻布局方式阻值偏差比较大的技术问题,本发明方法将单位电阻按照不同的方式和方向布局摆放,降低因为生产过程中尺寸偏差而造成的电阻绝对值偏差,提高电阻精度,使系统性能更稳定。
技术领域
本发明涉及芯片领域,尤其是一种高精度电阻布局方法及高精度电阻。
背景技术
参见图1,普通的芯片内电阻布局方法。
在一般情况下,芯片内电阻为了匹配的要求,会按照同样的方向放置所有单位电阻R,但实际在芯片生产过程中因为环境不是理想环境,会产生各种各样的偏差,最终芯片中的电阻阻值也会产生一定的偏差,其中一项偏差是由于生产过程中,光照会存在衍射,于是电阻器件的宽度W和长度L会有偏差。这种偏差会直接影响电阻的绝对值。对电阻绝对值要求较高的模块会产生影响。
发明内容
为了解决现有的电阻布局方式阻值偏差比较大的技术问题,本发明提供一种高精度电阻布局方法及高精度电阻。
本发明的技术解决方案是:
一种高精度电阻布局方法,其特殊之处在于:将2N个单位电阻平均分成两半,其中N个单位电阻横向放置,另一半N个单位电阻竖向放置。
将N个单位电阻横向放置,将其余N个单位电阻竖向放置,形成一字型布局。
依次将N/2个单位电阻横向放置,N/2个单位电阻竖向放置;N/2个单位电阻横向放置,N/2个单位电阻竖向放置,形成回字型布局。
一种高精度电阻,其特殊之处在于:包括2N个单位电阻,其中N个单位电阻横向放置,另一半N个单位电阻竖向放置。
N个单位电阻依次相连横向放置,其余N个单位电阻依次相连竖向放置,横向放置中的位于第一位置的单位电阻为输入端,横向放置中的位于最后一个位置的单位电阻与竖向放置中位于第一位置的单位电阻相连,竖向放置中的位于最后一个位置的单位电阻为输出端,形成一字型布局。
2N个单位电阻平均分成四组,每组有N/2个单位电阻,第一组中的N/2个单位电阻横向放置,第二组中的N/2个单位电阻竖向放置,第三组中N/2个单位电阻横向放置,第四组中的N/2个单位电阻竖向放置,四组依次连接形成一个回字。
2N个单位电阻平均分成六组,每组有N/3个单位电阻,从输入端到输出端六组连接方式如下:第一组中的N/3个单位电阻竖向放置,第二组中的N/3个单位电阻竖向放置,第一组中的所有单位电阻的一端分别与第二组中的所有电阻的一端连接,第一组中的位于首位的单位电阻的一端为输入端,第二组中的所有电阻的另一端均相连;
第三组中的N/3个单位电阻横向放置,第四组中的N/3个单位电阻横向放置,第三组中的所有单位电阻的一端分别与第四组中的所有电阻的一端连接,第四组中的所有电阻的另一端均相连,第三组中位于首位的单位电阻的另一端与第一组中位于末位的单位电阻的另一端连接;
第五组中的N/3个单位电阻竖向放置,第六组中的N/3个单位电阻横向放置,第五组中的所有单位电阻的一端均连接,第六组中的所有单位电阻的一端均连接,第五组中位于末位的单位电阻的另一端与第六组中位于首位的单位电阻的另一端连接,第六组中位于末位的单位电阻的另一端为输出端;六组依次连接形成一个人字。
2N个单位电阻分成三组,第一组中N个单位电阻横向排列,第二组中的N/2个单位电阻竖向放置,第三组中的N/2个单位电阻竖向放置,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610147252.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高维持电压的双向SCR保护结构
- 下一篇:用于金属熔丝应用的堆叠通道结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的