[发明专利]一种高精度电阻布局方法及高精度电阻有效
申请号: | 201610147252.6 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN105655332B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 梁超 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 电阻 布局 方法 | ||
1.一种高精度电阻布局方法,其特征在于:将2N个串联的单位电阻平均分成两半,其中N个单位电阻横向放置,另一半N个单位电阻竖向放置。
2.根据权利要求1所述的高精度电阻布局方法,其特征在于:将N个单位电阻横向放置,将其余N个单位电阻竖向放置,形成一字型布局。
3.根据权利要求1所述的高精度电阻布局方法,其特征在于:依次将N/2个单位电阻横向放置,N/2个单位电阻竖向放置;N/2个单位电阻横向放置,N/2个单位电阻竖向放置,形成回字型布局。
4.一种高精度电阻,其特征在于:包括2N个串联的单位电阻,其中N个单位电阻横向放置,另一半N个单位电阻竖向放置。
5.根据权利要求4所述的高精度电阻,其特征在于:N个单位电阻依次相连横向放置,其余N个单位电阻依次相连竖向放置,横向放置中的位于第一位置的单位电阻为输入端,横向放置中的位于最后一个位置的单位电阻与竖向放置中位于第一位置的单位电阻相连,竖向放置中的位于最后一个位置的单位电阻为输出端,形成一字型布局。
6.根据权利要求4所述的高精度电阻,其特征在于:2N个单位电阻平均分成四组,每组有N/2个单位电阻,第一组中的N/2个单位电阻横向放置,第二组中的N/2个单位电阻竖向放置,第三组中N/2个单位电阻横向放置,第四组中的N/2个单位电阻竖向放置,四组依次连接形成一个回字。
7.根据权利要求4所述的高精度电阻,其特征在于:2N个单位电阻平均分成六组,每组有N/3个单位电阻,从输入端到输出端六组连接方式如下:第一组中的N/3个单位电阻竖向放置,第二组中的N/3个单位电阻竖向放置,第一组中的所有单位电阻的一端分别与第二组中的所有电阻的一端连接,第一组中的位于首位的单位电阻的一端为输入端,第二组中的所有电阻的另一端均相连;
第三组中的N/3个单位电阻横向放置,第四组中的N/3个单位电阻横向放置,第三组中的所有单位电阻的一端分别与第四组中的所有电阻的一端连接,第四组中的所有电阻的另一端均相连,第三组中位于首位的单位电阻的另一端与第一组中位于末位的单位电阻的另一端连接;
第五组中的N/3个单位电阻竖向放置,第六组中的N/3个单位电阻横向放置,第五组中的所有单位电阻的一端均连接,第六组中的所有单位电阻的一端均连接,第五组中位于末位的单位电阻的另一端与第六组中位于首位的单位电阻的另一端连接,第六组中位于末位的单位电阻的另一端为输出端;六组依次连接形成一个人字。
8.根据权利要求4所述的高精度电阻,其特征在于:2N个单位电阻分成三组,第一组中N个单位电阻横向排列,第二组中的N/2个单位电阻竖向放置,第三组中的N/2个单位电阻竖向放置;
将第一组中首位单位电阻、第二位单位电阻,第二组中首位单位电阻,以及第三组中首位单位电阻,记为第一个电阻单元;
将第一组中第三位单位电阻、第四位单位电阻,第二组中第二位单位电阻,以及第三组中第二位单位电阻,记为第二个电阻单元;
以次类推;
将第一组中第N-1位单位电阻、第N位单位电阻,第二组中第N/2位单位电阻,以及第三组中第N/2位单位电阻,记为第N/2个电阻单元;
所述第一个电阻单元中各单位电阻的连接关系为:
第一组中的首位单位电阻的一端为输入端,第一组中的首位单位电阻的另一端与第二组中的首位单位电阻的一端连接,第二组中的首位单位电阻的另一端与第一组中的第二位单位电阻的一端连接,第一组中的第二位单位电阻的另一端与第三组中的首位单位电阻的一端连接,第三组中的首位电阻的另一端与第一组中的第三位单位电阻的一端连接;
所述第二个电阻单元中各单位电阻的连接关系为:
第一组中的第三位单位电阻的另一端与第二组中的第二位单位电阻的一端连接,第二组中的第二位单位电阻的另一端与第一组中的第四位单位电阻的一端相连,第一组中的第四位单位电阻的另一端与第三组中的第二位电阻的一端相连,第三组中的第二位电阻的另一端与第一组中的第五位单位电阻的一端相连;
依次类推;
第N/2个电阻单元中各单位电阻按照上述电阻单元中各单位电阻的连接规律连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的