[发明专利]一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池的制备方法，其特征在 于：包括以下步骤：

(1)选择N型晶体硅基体，并对N型晶体硅基体的前表面作制绒处理；

(2)利用APCVD技术在N型晶体硅基体的前表面沉积一层掺硼的SiO₂， 形成BSG膜；利用APCVD技术在N型晶体硅基体的背表面沉积一层掺磷的 SiO₂，形成PSG膜；

(3)利用退火设备对沉积有BSG膜和PSG膜的N型晶体硅基体进行退火， 使掺杂的硼杂质从BSG膜扩散到N型晶体硅基体中，在前表面形成p+掺杂的 发射极，使掺杂的磷杂质从PSG膜扩散到N型晶体硅基体中，在背表面形成 n+掺杂的基极；

(4)利用化学药液去除N型晶体硅基体前表面的BSG膜和后表面的PSG 膜，并对N型晶体硅基体进行清洗；

(5)在N型晶体硅基体的前表面制备钝化减反膜，在N型晶体硅基体的 背表面制备钝化膜；

(6)在N型晶体硅基体的前表面形成与发射极欧姆接触的P+电极，在N 型晶体硅基体的背表面形成与基极欧姆接触的N+电极，完成N型双面太阳能 电池的制作。

2.根据权利要求1所述的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能电池 的制备方法，其特征在于：所述N型晶体硅基体为N型单晶硅基体，所述N 型单晶硅基体的电阻率为0.5～15Ω·cm，厚度为50～300μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能 电池的制备方法，其特征在于：步骤(1)中制绒处理的具体方式为将该N型 单晶硅基体置于碱性水溶液中进行表面腐蚀以形成金字塔小绒面，然后将N型 单晶硅基体用质量浓度为5～10％的盐酸浸泡1～3分钟，再用去离子水将硅基体 漂洗干净。

4.根据权利要求1或2所述的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能 电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中沉积BSG膜所使用的硼源为气态 的B₂H₆，环境气体为SiH₄和O₂。

5.根据权利要求1或2所述的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能 电池的制备方法，其特征在于：步骤(2)中沉积PSG膜所使用的磷源为气态 的PH₃，环境气体为SiH₄和O₂。

6.根据权利要求1或2所述的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能 电池的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述退火设备为管式的退火炉，退 火的峰值温度为700～1100℃，退火时间为30～200min，环境气源为N₂和O₂。

7.根据权利要求1或2所述的一种基于APCVD技术的N型双面太阳能 电池的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述化学药液为HF溶液，去除 BSG膜和PSG膜后，按照RCA标准清洗法对N型晶体硅基体进行清洗。