[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示器领域，特别是涉及一种金属氧化物薄膜晶 体管及其制作方法、阵列基板。

背景技术

目前金属氧化物TFT工艺过程一般选用铜作为电极，因其有 较优良的导电特性。但由于铜具有一定的扩散性，当薄膜晶体管 导通时，铜会扩散到金属氧化物有源层，影响金属氧化物有源层 的导电性能。因此，现有技术中，铜不单独使用，而是采用多层 结构，包括扩散阻挡层和铜层。其中，阻挡层一般采用Mo、Ti 形成，用来阻挡铜向金属氧化物有源层扩散。

但是现有技术中至少存在如下问题：扩散阻挡层越厚则阻挡 铜向金属氧化物有源层扩散的效果越好，但是厂家对于成本及器 件厚度有着严格要求，扩散阻挡层不可能做的太厚；同时为了提 高器件性能，在形成薄膜晶体管后会对其进行退火工艺处理，退 火工艺需要在高温环境中实现，而铜在高温下扩散加剧，这两方 面原因导致扩散阻挡层防止铜扩散的效果差，进而影响金属氧化 物有源层的导电性能，从而影响薄膜晶体管的性能。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作 方法、阵列基板；以解决现有的扩散阻挡层的阻挡扩散的效果差 的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

提供一种金属氧化物薄膜晶体管，包括：

一玻璃基板；

栅极，其设置于玻璃基板上；

栅极绝缘层，其设置于栅极以及玻璃基板上；

金属氧化物有源层，其设置于栅极绝缘层上；

刻蚀阻挡层，其设置于金属氧化物有源层以及栅极绝缘层上， 该刻蚀阻挡层设置有源极通孔以及漏极通孔；

扩散阻挡层，其包括源极阻挡层和漏极阻挡层，该源极阻挡 层和漏极阻挡层分别设置于源极通孔以及漏极通中，并与该金属 氧化物有源层接触，所述扩散阻挡层中掺杂有预定浓度的硼离子 和/或磷离子；

源极，其设置于所述源极阻挡层上；

漏极，其设置于所述漏极阻挡层上。

在本发明所述的金属氧化物薄膜晶体中，所述扩散阻挡层包 括钼金属和钛金属。

在本发明所述的金属氧化物薄膜晶体中，所述金属氧化物有 源层为铟镓锌氧化物有源层。

在本发明所述的金属氧化物薄膜晶体中，所述扩散阻挡层的 厚度为100埃米-500埃米。

在本发明所述的金属氧化物薄膜晶体中，所述扩散阻挡层中 掺杂有硼离子和磷离子，硼离子和磷离子的掺杂浓度为10％-90％。

在本发明所述的金属氧化物薄膜晶体中，从所述扩散阻挡层 的靠近所述源极以及漏极的一侧到靠近所述金属氧化物有源层的 一侧，掺杂浓度依次递减。

本发明还提供了一种阵列基板，包括上述任一项所述的金属 氧化物薄膜晶体管。

本发明还提供了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，包 括以下步骤：

在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物有源 层以及刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层设置有源极通孔以及漏极通孔；

在金属氧化物有源层上形成扩散阻挡层，该扩散阻挡层包括 源极阻挡层和漏极阻挡层，该源极阻挡层和漏极阻挡层分别设置 于源极通孔以及漏极通孔中并分别与金属氧化物有源层接触；

采用预定浓度的硼离子和/或磷离子对扩散阻挡层进行掺杂；

在该源极阻挡层上形成源极，在该漏极阻挡层上形成漏极。

在本发明所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中，所述 扩散阻挡层中掺杂有硼离子和磷离子，硼离子和磷离子的掺杂浓 度为10％-90％。

在本发明所述的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法中，从所 述扩散阻挡层的靠近所述源极以及漏极的一侧到靠近所述金属氧 化物有源层的一侧，掺杂浓度依次递减。

相对于现有技术，本发明优选实施例的金属氧化物薄膜晶体 管采用在扩散阻挡层掺入硼离子和/或磷离子，提高了扩散阻挡层 对源极以及漏极的铜离子扩散的阻挡能力，可以防止在高温过程 源极以及漏极的铜离子扩散到金属氧化物有源层影响该金属氧化 物有源层的导电性能力。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例， 并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明