[发明专利]一种透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

（1）配比原料：按质量比例称取原料In₂O₃粉末、WO₃粉末和SnO₂粉末；

（2）均匀混合原料：将步骤（1）中的原料放入球磨机，球磨5~10h，混合均匀后取出后再用去离子水配成悬浊液，再用磁力搅拌器加热搅拌直至去离子水蒸发后变为溶胶状混合物；

（3）压制成型：将步骤（2）中的溶胶状混合物装入模具中在250~300KN的载荷下压制成型，得到第一次成型的生坯，再用200~250KN的载荷进行二次压制成型，得到生坯；

（4）煅烧生坯：将步骤（3）中制得的生坯放在马弗炉中在空气气氛中进行煅烧，煅烧温度为1000~1100℃，煅烧时间为8~18h；待冷却至常温，得到IWTO靶材。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的原料In₂O₃粉末、WO₃粉末和SnO₂粉末的质量配比为90：0.5~2.5：6~9.5。

3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中磁力搅拌的温度为60~80℃；搅拌的速度为500~800r/min。

4.根据权利要求2所述的透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中所压制成型的生坯为圆柱形。

5.根据权利要求4所述的透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，其特征在于，所述圆柱形的直径为100mm。

6.根据权利要求5所述的透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，其特征在于，该方法所制备的IWTO靶材适用于电子束蒸发法或反应等离子沉积法制备IWTO薄膜。