[发明专利]平均磨损方法、内存控制电路单元及内存储存装置

权利要求书

1.一种平均磨损方法，用于一可复写式非易失性内存模块，其特征在于，所述可复写式非易失性内存模块具有多个实体抹除单元，每一个实体抹除单元具有相同的一容量，所述平均磨损方法包括：

将所述多个实体抹除单元区分为一第一群组与一第二群组，其中所述第一群组的实体抹除单元无存有有效数据，并且所述第二群组的实体抹除单元储存有有效数据；

为每一个实体抹除单元记录一抹除次数，并且根据所记录的抹除次数排列所述第二群组的实体抹除单元；

根据所记录的抹除次数从所述第一群组的实体抹除单元中提取一实体抹除单元作为一第一实体抹除单元；

根据所述第二群组的实体抹除单元的一排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中选取一实体抹除单元作为一第二实体抹除单元，其中所述第二实体抹除单元的有效数据量小于所述容量；

根据所述第二群组的实体抹除单元的所述排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中仅选取有效数据量小于所述容量的另一实体抹除单元作为一第三实体抹除单元；以及

将所述第二实体抹除单元的有效数据及所述第三实体抹除单元的至少部分有效数据程序化至所述第一实体抹除单元。

2.根据权利要求1所述的平均磨损方法，其特征在于，根据所述第二群组的实体抹除单元的所述排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中仅选取有效数据量小于所述容量的另一实体抹除单元作为所述第三实体抹除单元的步骤包括：

根据所述第二群组的实体抹除单元的所述排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中选取一实体抹除单元作为一候选实体抹除单元，并且判断所述候选实体抹除单元的有效数据量是否小于所述容量；

倘若所述候选实体抹除单元的有效数据量不小于所述容量时，根据所述第二群组的实体抹除单元的所述排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中选取另一实体抹除单元作为所述候选实体抹除单元；以及

倘若所述候选实体抹除单元的有效数据量小于所述容量时，决定所述候选实体抹除单元为所述第三实体抹除单元。

3.根据权利要求1所述的平均磨损方法，其特征在于，将所述第二实体抹除单元的有效数据及所述第三实体抹除单元的至少部分有效数据程序化至所述第一实体抹除单元的步骤包括：

根据所述第二实体抹除单元的有效数据量及所述第三实体抹除单元的有效数据量计算一有效数据量总和，并且判断所述有效数据量总和是否小于所述容量；

倘若所述有效数据量总和不小于所述容量时，将所述第二实体抹除单元的有效数据及所述第三实体抹除单元的至少部分有效数据程序化至所述第一实体抹除单元；

倘若所述有效数据量总和小于所述容量时，根据所述第二群组的实体抹除单元的所述排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中选取有效数据量小于所述容量的另一实体抹除单元作为一第四实体抹除单元；以及

将所述第二实体抹除单元的有效数据、所述第三实体抹除单元的有效数据及所述第四实体抹除单元的至少部分有效数据程序化至所述第一实体抹除单元。

4.根据权利要求1所述的平均磨损方法，其特征在于，根据所记录的抹除次数排列所述第二群组的实体抹除单元的步骤包括：

根据所记录的抹除次数由小到大排列所述第二群组的实体抹除单元。

5.根据权利要求1所述的平均磨损方法，其特征在于，根据所记录的抹除次数从所述第一群组的实体抹除单元中提取一实体抹除单元作为所述第一实体抹除单元的步骤包括：

从所述第一群组的实体抹除单元中提取具有最大抹除次数的一实体抹除单元作为所述第一实体抹除单元。

6.根据权利要求1所述的平均磨损方法，其特征在于，所述第二实体抹除单元的有效数据与所述第三实体抹除单元的有效数据是属于多个不连续逻辑地址。