[发明专利]一种微纳PSS制备用软膜结构在审
申请号: | 201610103729.0 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105609607A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 张伟;孙智江 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/46 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pss 制备 膜结构 | ||
技术领域
本发明涉及芯片制造领域,特别涉及一种微纳PSS制备用软膜结构。
背景技术
发光二极管(LED)是一种电光转换、高效节能、绿色环保、寿命长等优点,在交通指示、户内外全色显示、液晶电视背光源等方面有着广泛的应用,尤其是用LED可以实现半导体固态照明,其有望成为新一代光源进入千家万户,引起人类照明史上的革命,其中蓝宝石衬底生长氮化镓外延的蓝光LED芯片上涂敷黄光荧光粉,蓝光激发荧光粉发出黄光,蓝光与黄光混合得到白光,从而用蓝光LED得到白光。氮化镓衬底材料常见有二种,即蓝宝石和碳化硅,碳化硅机械加工性能差,价格昂贵以及专利方面的问题使其应用得到限制,因此当前用于氮化镓外延生长的衬底主要是蓝宝石,氮化镓外延层与蓝宝石的晶格失配度相当大,残余内应力较大,所以在蓝宝石上生长氮化镓容易造成大量的缺陷,而这些缺陷大大降低发光器件发光效率;同时GaN与空气间存在较大的折射率的差异,光出射角度较小,很大部分被全反射回到LED芯片内部,降低了光的提取效率,增加散热难度,影响LED器件的可靠性。采用纳米级PPS衬底技术可大大降低氮化物材料的位错的密度,缓和外延生长时产生的残余内应力,提高内量子效率,光提取效率大大改善。
在进行微纳PSS制备的过程中,为了提高软膜的使用寿命,现研究出一种新的微纳PSS的制备方法,在进行曝光处理时,软膜只需与胶微接触即可实现被曝光区域未曝光区,因此针对该工艺的改进,需要研究一种新的软膜结构。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种微纳PSS制备用软膜结构,能够实现软膜只需与胶微接触即可实现被曝光区域未曝光区。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种微纳PSS制备用软膜结构,其创新点在于:
所述软膜结构包括一软膜主体,该软膜主体呈长方体状,在软膜主体的长轴方向的一侧设置有梳齿组;
所述梳齿组由若干并列等距分布的梳齿共同构成,在相邻的两个梳齿所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层,且高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽。
本发明的优点在于:本发明中的软膜结构通过在相邻的梳齿所形成的凹槽的内壁增设高反射金属层,在进行曝光处理时,光在经过软膜时,部分光会被高反射金属层所阻挡,即可形成被曝光区域未曝光区,无需软膜与胶深入接触,提高了软膜的使用寿命。
通过将高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽的设计,避免光在到达胶之间从梳齿的侧壁射出的情况,将光完全局限于图形内,有效的提高图形分辨率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明的微纳PSS制备用软膜结构的示意图。
图2为利用本发明的微纳PSS制备用软膜结构曝光后胶的示意图。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
如图1所示的一种微纳PSS制备用软膜结构,包括一软膜主体1、梳齿组及高反射金属层3。
该软膜主体1呈长方体状,在软膜主体1的长轴方向的一侧设置有梳齿组。
梳齿组由若干并列等距分布的梳齿2共同构成,在相邻的两个梳齿2所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层3,且高反射金属层3覆盖住相邻两个梳齿2所形成的凹槽。
工作原理:在进行曝光时,光线路径如图1中箭头所示,光在经过软膜时,经过高反射金属层3的光线会被阻挡,经过梳齿2的光线会顺利通过到达胶4处,从而经过曝光处理后的胶4会形成曝光区域5与未曝光区6,如图2所示。
另外,当光到达梳齿2处时,即使有部分光线从侧方射出时,也会被高反射金属层3的光线所阻挡,避免出现光到达胶4之前从图形侧壁出射的情况。
本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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