[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，

在所述基底上形成栅极结构，所述基底包括用于形成第一型晶体管的第一区域，位于第一区域的栅极结构为第一栅极结构；

对所述第一栅极结构两侧的基底进行轻掺杂漏工艺，形成第一掺杂层，所述第一掺杂层内包含有第一类型离子；

在所述第一掺杂层内形成开口；

对所述开口的底部和侧壁露出的所述第一掺杂层进行防扩散注入；

进行防扩散注入的步骤还包括：在离子注入之后进行尖峰退火处理；

进行预烘处理；

向所述开口内填充第一半导体材料以形成第一应力层；

对所述第一应力层进行离子掺杂，形成源区或漏区。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行防扩散注入的步骤中，所述防扩散注入的倾斜角度在10°到20°范围内，所述倾斜角度为注入方向与所述基底表面法线之间的夹角。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一型晶体管为P型晶体管，形成第一掺杂层的步骤中，所述第一类型离子为P型离子。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子为硼离子。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，进行防扩散注入的步骤包括：所述注入离子为碳离子、氟离子或氮离子。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，进行防扩散注入的步骤中，所述防扩散注入的注入能量在5KeV到20KeV范围内，注入剂量在1.0E13atom/cm²到3.0E15atom/cm²范围内。

7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述开口的步骤中，所述开口的形状为“∑”形。

8.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一应力层的步骤中，所述第一半导体材料包括锗硅材料。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极侧墙；

形成所述开口的步骤之后，进行防扩散注入的步骤之前，所述形成方法还包括：去除所述栅极侧墙的部分厚度，以露出被所述第一栅极结构的栅极侧墙覆盖的部分基底表面。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，去除所述栅极侧墙的部分厚度的步骤之后，所述栅极侧墙的厚度在50nm到300nm范围内。

11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，去除所述栅极侧墙的部分厚度的步骤包括：采用回刻工艺去除所述栅极侧墙的部分厚度。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述进行预烘处理的步骤包括：采用氢气预烘的方式进行所述预烘处理。

13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述进行预烘处理的步骤包括：所述预烘处理的温度在780℃到850℃范围内。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成栅极结构的步骤中，所述基底还包括用于形成第二型晶体管的第二区域，位于第二区域的栅极结构为第二栅极结构；

所述形成方法还包括：

在所述基底上形成栅极结构的步骤之后，在形成开口的步骤之前，对所述第二栅极结构两侧的基底进行轻掺杂漏工艺，形成第二掺杂层，所述第二掺杂层内包含有第二类型离子；

在形成第一应力层的步骤之后，所述形成方法还包括：在第二栅极结构两侧的所述第二掺杂层内形成第二应力层。

15.如权利要求14所述的形成方法，其特征在于，形成第二掺杂层的步骤中，所述第二类型离子为N型离子；

形成所述第二应力层的步骤中，所述第二应力层的材料包括碳硅材料。