[发明专利]基于三维印录存储器(3D-P)的处理器有效

专利信息
申请号: 201610083747.7 申请日: 2016-02-13
公开(公告)号: CN107085452B 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 张国飙 申请(专利权)人: 杭州海存信息技术有限公司
主分类号: G06F1/03 分类号: G06F1/03;G06F7/501;G06F7/52;G06F7/556;G06F7/548
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地址: 310051*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基于 三维 存储器 处理器
【说明书】:

本发明提出一种基于三维印录存储器(3D‑P)的处理器。3D‑P容量大,速度快,基本不占衬底面积,可以集成在各种逻辑电路上。因此,采用3D‑P为处理器存储查找表(LUT)可以提高处理器速度,降低芯片面积。此外,不同类型的计算采用基于3D‑P的LUT后,它们所花的时间更结构化,利于在不同类型计算之间实现时序电路。

技术领域

本发明涉及集成电路领域,更确切地说,涉及处理器。

背景技术

处理器需要进行各种复杂计算。常规处理器仅对常规加法和常规乘法效率较高,但其它计算都需要耗费大量时钟周期才能完成。为此,以往技术提出采用查找表(LUT)来完成部分计算。例如,美国专利5,046,038提出利用LUT来实现除法器、美国专利5,954,787提出用LUT来实现三角函数计算器、美国专利6,263,470提出利用LUT来实现Reed-Solomon解码器等。

下面以美国专利9,207,910来具体描述利用LUT来实现一指数单元。如图1A所示,该指数单元采用两个LUT 210、230。其中,通过LUT A 210可以查找输入x的log(x)值240,然后在乘法器220将log(x)的值与K相乘,获得的积250再通过LUT B 230可以查出x的指数值260。该专利还披露了一种数字处理器DSP 200X,它含有多个平行的指数单元200-1,2001-2…200-N,故同时计算多个输入x1,x2…xN的指数。

上述采用LUT的处理器都面临一个共同问题,即LUT 210,230都采用SRAM存储元,SRAM必须形成在衬底上,其存储元面积很大,占用了大量衬底资源。因此,现有技术采用的LUT的阵列大小不能过大。如专利9,207,910所述,单个LUT的大小一般限制在32kb。因此,现有技术中,LUT的输入变量只能是小字宽,这导致LUT对计算速度的提升有限。当处理器采用大量平行计算时,这些LUT需要被重复多次,这需要耗费大量衬底面积,增加处理器成本。

现有技术的处理器还面临一个问题,由于不同类型计算采用的逻辑电路差别很大,它们完成这些计算所花的时间差别很大。这对于含有多种计算类型的处理器来说,它很难对这些计算进行流水线(pipelining)操作。这对系统性能的整体提升不利。基于上述困难,有必要找到一种大容量、廉价的存储器来为处理器存储LUT。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种性能更好的处理器。

本发明的另一目的是提供一种成本更低的处理器。

为了实现这些以及别的目的,本发明提出一种基于三维印录存储器(3D-P)的处理器。3D-P是三维存储器(3D-M)的一种,其存储的信息是在工厂生产过程中采用非电方式录入的,这些信息是永久固定的,一般出厂后不能改变。

由于3D-P存储元不需要实现电编程,其二极管的所有导电能力可以用来读取存储元中所存储的数据。因此,与可以编程的3D-M比较,3D-P的读电路可以增加十倍以上。故3D-P的读延迟为10ns级。如果再采用小阵列(即字线数目小于1024),3D-P的读延迟可以降到ns级。因此,3D-P作为LUT存储器,能满足处理器对速度的要求。

3D-P采用交叉点阵列,其存储元面积为4F2(F为工艺特征尺寸)。加上采用三维集成(可堆叠8层或8层以上),3D-P容量远大于SRAM(SRAM存储元面积为~50F2,比3D-P存储元大~100倍)。采用3D-P存储LUT后,一个处理器芯片上可以存储数据总量高达1Tb的LUT。这意味着处理器可以携带字宽很大的LUT,这能极大地提高处理器的性能。

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