[发明专利]太阳能电池以及制备太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

电极；

吸光层，所述吸光层设置在所述电极的下表面；

空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述吸光层的下表面，所述空穴传输层含有金属酞菁配合物；以及

对电极，所述对电极设置在所述空穴传输层的下表面，

其中，所述金属酞菁配合物具有式I所示的结构。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为介观结构钙钛矿太阳能电池。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为平面结构钙钛矿太阳能电池。

4.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括选自透明玻璃以及透明聚合物膜的至少之一；

电极，所述电极设置在所述衬底的下表面，所述电极是由透明金属氧化物形成的；

电子传输层，所述电子传输层设置在所述电极的下表面；

吸光层，所述吸光层设置在所述电子传输层的下表面，所述吸光层包括通式为ABX₃的钙钛矿型化合物，

其中，A为选自甲氨基、乙胺基以及支链氨基的至少之一，B为铅或者锡，X为Cl、Br或者I；

空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述吸光层的下表面，所述空穴传输层含有金属酞菁配合物；以及

对电极，所述对电极设置在所述空穴传输层的下表面，

其中，所述金属酞菁配合物具有式I所示的结构。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明聚合物膜是由选自聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯以及聚乙烯的至少之一形成的；

所述透明金属氧化物包括选自氧化铟锡、氟掺杂锡氧化物以及铝掺杂锌氧化物的至少之一；

所述电极的方块电阻为5～120欧姆/□。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述电极的方块电阻为8～30欧姆/□。

7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层包括选自TiO₂、SnO₂、ZnO、富勒烯以及PCBM的至少之一，所述电子传输层的厚度为20～150nm；

所述吸光层的厚度为100～1200nm。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20～50nm。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述吸光层的厚度为100～400nm。

10.一种制备权利要求4～9任一项所述的太阳能电池的方法，其特征在于，包括：

(1)提供衬底，在所述衬底的下表面通过溅射形成电极；

(2)在所述电极的下表面形成电子传输层，所述电子传输层是通过溶液成膜技术或者原子层沉积技术形成的，

其中，所述溶液成膜技术包括选自旋涂、提拉法、丝网印刷的至少之一；

(3)在所述电子传输层的下表面形成吸光层，所述吸光层是通过液相法、气相共蒸沉积法以及气相辅助液相法中的任意一种形成的；

(4)在所述吸光层的下表面形成空穴传输层，所述空穴传输层是通过蒸镀、旋涂、提拉或者丝网印刷技术形成的；以及

(5)在所述空穴传输层的下表面形成对电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，形成的所述电子传输层的厚度为20～150nm。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20～50nm。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，形成的所述吸光层的厚度为100～1200nm。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述吸光层的厚度为100～400nm。