[发明专利]堆叠纳米线制造方法

权利要求书

1.一种堆叠围栅纳米线制造方法，包括以下步骤：

a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成掩模层；

b)在所述掩模层上形成嵌段共聚物；

c)使所述嵌段共聚物进行定向自组装，形成分别由所述嵌段共聚物的第一组分和第二组分构成的第一区域和第二区域；

d)选择性去除所述第一区域并保留所述第二区域以形成预定图案；

e)根据所述预定图案对所述掩模层进行刻蚀，以形成掩模层图案；

f)根据所述掩模层图案，刻蚀所述半导体衬底以形成沟槽；

g)在所述沟槽的底部及侧壁采用钝化性气体形成聚合物保护层；以及

h)重复执行步骤f)和步骤g)，以形成堆叠围栅纳米线。

2.根据权利要求1所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，在步骤f)中，刻蚀性气体为SF₆、SF₆/O₂或SF₆/O₂/Ar。

3.根据权利要求1所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，在所述步骤g)中，利用钝化性气体C₄F₆或C₄F₈在所述沟槽的底部及侧壁进行钝化处理，形成所述聚合物保护层。

4.根据权利要求1所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，在步骤f)中，进一步包括：对刻蚀后的半导体衬底执行原位钝化处理。

5.根据权利要求4所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，利用O₂对所述刻蚀后的半导体衬底执行原位钝化处理。

6.根据权利要求1所述的堆叠围栅纳米线制造方法，进一步包括：i)对所述堆叠围栅纳米线执行圆化处理。

7.根据权利要求6所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，所述圆化处理是高温热氧化和/或高温氢气退火。

8.根据权利要求1所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，每次重复执行步骤f)和步骤h)时，根据技术特点或工艺要求，采用相同或不同的工艺参数。

9.根据权利要求1所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，所述半导体衬底是硅基或锗基四族材料，或者是三五族非硅基材料。

10.根据权利要求9所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，所述硅基或锗基四族材料是以下材料中的一种：体硅、SOI、Ge、GeOI、应变硅和GeSi。

11.根据权利要求1所述的堆叠围栅纳米线制造方法，其中，先执行步骤f)再执行步骤g)，或者先执行步骤g)再执行步骤f)。