[发明专利]一种基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法

权利要求书

1.一种基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：所述触摸屏的主体由盖板、光学胶、石墨烯透明导电薄膜和基材构成，该方法利用触摸屏中的光学胶作为石墨烯的转移介质，首先在初始基体表面形成石墨烯，再将光学胶膜结合到石墨烯的表面，分离石墨烯与初始基体后获得以光学胶膜作为基材的石墨烯透明导电薄膜；对石墨烯透明导电薄膜进行图形化、制作导线和压合FPC加工后直接与盖板贴合，从而完成触摸屏的制作。

2.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：位于初始基体的石墨烯的平均层数为单层，少层或多层，层数为10层以下。

3.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：石墨烯为采用化学气相沉积方法生长的石墨烯或析出方法生长的石墨烯。

4.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：采用的光学胶为电容式触摸屏中使用的光学胶OCA薄膜。

5.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：将石墨烯与初始基体分离的方法为蚀刻基体法、鼓泡剥离法或机械剥离法。

6.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：根据需要使用两层以上的石墨烯透明导电薄膜，重复操作直到获得相应层数的石墨烯透明导电薄膜。

7.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：对石墨烯透明导电薄膜进行图形化加工的方法为激光蚀刻法、等离子体蚀刻法或氧化法。

8.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：所形成的图形化石墨烯透明导电膜包括导线部分，导线部分的材料为银、铜、铜镍合金或钼铝合金，导线部分的制作方法为印刷工艺、光刻工艺或激光蚀刻工艺。

9.按照权利要求1所述的基于光学胶转移技术制作石墨烯电容式触摸屏的方法，其特征在于：盖板材料为玻璃、聚碳酸酯PC、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET。