[发明专利]一种分子流标准漏孔及其制作方法有效
申请号: | 201610074144.0 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105738038B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 王旭迪;朱爱青;尉伟;邱克强;赵永恒;董栋;郑丁杰;桑艾霞;朱郑乔若 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | G01M3/02 | 分类号: | G01M3/02 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分子 标准 漏孔 及其 制作方法 | ||
1.一种分子流标准漏孔的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
a、在第一基底(1)和第二基底(3)上形成预定尺寸的通孔;
b、将加工好的第一基底(1)和第二基底(3)经过清洗后置于130℃的烘箱中加热30min,然后对其进行氧气等离子体处理;接着在第二基底(3)上旋涂一层经过溶剂稀释的第二密封材料(4);
c、将多孔材料(5)放置在涂好第二密封材料(4)的第二基底(3)上,慢慢的用力压紧,使其与第二基底(3)紧密接触,然后在250℃热台上加热30min使第二密封材料(4)固化;
d、在多孔材料表面形成预定尺寸且气体能顺利通过的有效区域(6),保证有效区域(6)与第一基底(1)和第二基底(3)上的通孔对齐;所述多孔材料为双通多孔阳极氧化铝,规格为AAO-DP-12,孔径70nm,孔间距110nm,孔深50-70μm;
e、将第一基底(1)与安装好多孔材料的第二基底(3)通过第一密封材料(2)相连接,使所述多孔材料位于第一基底(1)和第二基底(3)之间,完成此标准漏孔的制作。
2.根据权利要求1所述的一种分子流标准漏孔的制作方法,其特征在于所述的步骤a中第二基底(3)上的通孔是通过激光打孔技术加工形成的,孔径
3.根据权利要求1所述的一种分子流标准漏孔的制作方法,其特征在于所述的步骤b中等离子体处理的真空度为25Pa,功率为60w,轰击时间为5min;第二密封材料(4)的旋涂厚度为400-500nm,稀释溶剂为甲苯。
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