[发明专利]一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法有效
| 申请号： | 201610069637.5 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105551520B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;李睿;林汉超;张鑫刚 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C14/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 memristor mosfet 可编程 电路 及其 实现 方法 | ||
1.一种基于Memristor、MOSFET的可编程电路，其特征在于：包括忆阻器阻值控制模块、忆阻器、系统电路；所述忆阻器阻值控制模块包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，所述第一NMOS管M1的栅极与所述第一NMOS管M1的漏极、所述第二NMOS管M2的栅极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口，所述第三NMOS管M3的栅极与所述第四NMOS管M4的栅极、所述第四NMOS管M4的漏极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的第二编程输入端口，所述第一NMOS管M1的源极与所述第三NMOS管M3的漏极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的加阻值输出端口，所述第二NMOS管M2的漏极与所述第四NMOS管M4的源极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的减阻值输出端口，所述第二NMOS管M2的源极与所述第三NMOS管M3的源极均接地；所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口与第二编程输入端口用以接入编程电压，所述忆阻器阻值控制模块的加阻值输出端口与减阻值输出端口分别与所述忆阻器的两端相连，所述忆阻器的两端分别连接至所述系统电路的两个输入端口。
2.一种基于权利要求1所述的基于Memristor、MOSFET的可编程电路的实现方法，其特征在于：将编程电压输入所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口以及第二编程输入端口，分别控制第一NMOS管M1、第二NMOS管M2以及第三NMOS管M3、第四NMOS管M4的关断与电流的流向，采用脉冲对所述忆阻器进行编程，其中脉冲幅度、周期及占空比根据系统电路需求来调整。
3.根据权利要求2所述的一种基于Memristor、MOSFET的可编程电路的实现方法，其特征在于：所述第一NMOS管M1与所述第四NMOS管M4采用二极管连接方式，用以使第一NMOS管M1、第四NMOS管M4始终工作在饱和区，其电流不随漏源电压改变而变化，其中电流值的计算采用下式：
其中，ID为NMOS管的漏极电流，un为电子迁移速率，Cox为单位面积氧化层电容，W为沟道宽度，L为沟道的长度，VGS为NMOS管栅源极之间的电压，VTH为NMOS管的阈值电压。
4.根据权利要求2所述的一种基于Memristor、MOSFET的可编程电路的实现方法，其特征在于：所述第一编程输入端口与所述第二编程输入端口输入的编程电压V1,V2提供NMOS管的工作电压。
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