[发明专利]LDMOS和JFET的集成结构及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS和JFET的集成结构，其特征在于：

LDMOS包括：

形成于P型衬底中的深N阱，在所述P型衬底中形成有场氧化层，通过所述场氧化层隔离出有源区；

第一沟道区，由形成于所述深N阱中的P阱组成；

第一源区，由形成于所述第一沟道区中N+区组成；

第一漏区，由形成于所述深N阱中的N+区组成；

在所述第一漏区和第一沟道区之间的所述深N阱表面形成有一个所述场氧化层，令该场氧化层为第一场氧化层，所述第一场氧化层和所述第一漏区自对准、和所述第一沟道区相隔一定距离；

由所述第一漏区和所述第一沟道区之间的区域组成第一漂移区；

多晶硅栅，由形成于所述第一沟道区上的第一多晶硅层组成，所述第一源区和所述多晶硅栅的外侧自对准，所述多晶硅栅的内侧延伸到所述第一场氧化层上，所述多晶硅栅的底部形成有栅氧化层；被所述多晶硅栅覆盖的所述第一沟道区表面用于形成沟道；

在俯视面上：

所述第一多晶硅层首尾相连形成闭合的第一多晶硅环绕结构，所述第一多晶硅环绕结构将所述第一漂移区和所述第一漏区包围，所述第一多晶硅环绕结构位于所述深N阱区域内；

所述第一源区沿着所述第一多晶硅层的外侧环绕形成具有开口的源区环绕结构，由外侧形成有所述第一源区的所述第一多晶硅层组成所述多晶硅栅；所述第一沟道区也形成具有开口的沟道区环绕结构，所述沟道区环绕结构的开口位置和所述源区环绕结构的开口位置相同；

JFET包括：

第二栅极区，由形成于所述深N阱中的P阱组成；

第二源区，由形成于所述深N阱中N+区组成；

在俯视面上：

在所述沟道区环绕结构的开口位置处的所述第一多晶硅层的外侧的所述深N阱具有一突出结构，第二栅极区形成于突出的所述深N阱中且延伸到突出的所述深N阱两侧的所述P型衬底中，所述第二栅极区的延伸到突出的所述深N阱两侧的所述P型衬底中的表面区域中形成有由P+区组成的栅极引出区；所述第一沟道区和所述第二栅极区不相连接；

所述第二源区形成于突出的所述深N阱中且位于所述第二栅极区的外侧；在所述沟道区环绕结构的开口位置处，所述第一场氧化层从所述第一多晶硅环绕结构的内侧向外侧延伸直至所述第一场氧化层的外侧和所述第二源区自对准；

由所述第二栅极区底部的所述深N阱组成所述JFET的沟道区；

由所述第二栅极区的内侧到所述沟道区环绕结构的开口位置处的所述第一多晶硅层的外侧之间的区域叠加所述第一漂移区组成所述JFET的漂移区；

由所述第一漏区组成所述JFET的漏区。

2.如权利要求1所述的LDMOS和JFET的集成结构，其特征在于：所述第一漂移区由所述第一漏区和所述第一沟道区之间的所述深N阱组成；

所述JFET的漂移区由所述第二栅极区的内侧到所述沟道区环绕结构的开口位置处的所述第一多晶硅层的外侧之间的所述深N阱叠加所述第一漂移区组成。

3.如权利要求2所述的LDMOS和JFET的集成结构，其特征在于：在所述第一漂移区中还包括形成于所述深N阱表面的PTOP层。

4.如权利要求1所述的LDMOS和JFET的集成结构，其特征在于：在俯视面上，在所述沟道区环绕结构的开口位置处两侧的所述多晶硅栅都为直线结构。

5.如权利要求4所述的LDMOS和JFET的集成结构，其特征在于：在俯视面上，在所述沟道区环绕结构的开口位置处的所述第一多晶硅层也为直线结构，该处的所述第一多晶硅层和所述沟道区环绕结构的开口位置两侧的所述多晶硅栅的直线垂直且通过弧线连接。

6.如权利要求4所述的LDMOS和JFET的集成结构，其特征在于：在俯视面上，在所述沟道区环绕结构的开口位置处两侧的所述多晶硅栅沿直线方向向所述第一多晶硅环绕结构的外侧延伸一段距离，在所述沟道区环绕结构的开口位置处两侧的所述多晶硅栅外侧的所述第一沟道区和所述第一源区也分别沿直线方向向所述第一多晶硅环绕结构的外侧延伸一段距离且延伸的所述第一沟道区和所述第一源区都位于所述深N阱中。