[发明专利]半导体器件安全认证方法

权利要求书

1.一种半导体器件安全认证方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件以及电容矩阵，所述电容矩阵包括多个电容器，所述电容器包括第一基板、形成于所述第一基板上的介质层以及形成于所述介质层上的第二基板，所述电容矩阵中包括至少一个与其他电容器介质层的第一表面的面积存在差异的电容器，所述第一表面为介质层靠近第二基板的一面；

多次比较所述电容矩阵中任意两个电容器的电容值，并且每次比较的电容器不完全相同，获得多个比较结果；

将获得的多个比较结果构成的序列作为所述半导体器件的密钥；

其中，形成所述电容器的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第一基板；

在所述第一基板上形成介质层；

在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述介质层的部分表面；

采用湿法刻蚀或者干法刻蚀与湿法刻蚀组合的方式，去除所述掩膜层暴露出的介质层，同时所述掩膜层覆盖的介质层被部分刻蚀形成凹槽；

去除所述掩膜层；

在所述介质层上形成第二基板。

2.如权利要求1所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅层，采用湿法刻蚀去除所述掩膜层暴露出的介质层。

3.如权利要求1所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述介质层包括依次形成于所述第一基板上的第一氧化硅层、氮化硅层以及第二氧化硅层，先采用干法刻蚀去除所述掩膜层暴露出的第二氧化硅层和氮化硅层，再采用湿法刻蚀去除所述掩膜层暴露出的第一氧化硅层。

4.如权利要求1所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述介质层厚度为

5.如权利要求1所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述第一基板和/或第二基板为多晶硅层。

6.如权利要求1所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述介质层包括第一介质层和第二介质层；

以及，形成所述电容器的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第一基板；

在所述第一基板上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述第一介质层的部分表面；

采用湿法刻蚀或者干法刻蚀与湿法刻蚀组合的方式，去除所述掩膜层暴露出的第一介质层，同时所述掩膜层覆盖的第一介质层被部分刻蚀形成凹槽；

去除所述掩膜层；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第一介质层和第二介质层共同构成所述介质层；

在所述第二介质层上形成第二基板。

7.如权利要求6所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅层，采用湿法刻蚀去除所述掩膜层暴露出的介质层。

8.如权利要求6所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述第一介质层包括依次形成于所述第一基板上的第一氧化硅层、氮化硅层以及第二氧化硅层，先采用干法刻蚀去除所述掩膜层暴露出的第二氧化硅层和氮化硅层，再采用湿法刻蚀去除所述掩膜层暴露出的第一氧化硅层。

9.如权利要求6所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述第一介质层厚度为所述第二介质层的厚度为

10.如权利要求6所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述第二介质层为氧化硅层。

11.如权利要求6所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述第一基板和/或第二基板为多晶硅层。

12.如权利要求1或6所述的半导体器件安全认证方法，其特征在于，所述第一基板包括第一区域以及包围所述第一区域的第二区域，所述掩膜层覆盖所述第一区域并暴露所述第二区域，或者，所述掩膜层暴露所述第一区域并覆盖所述第二区域。