[发明专利]日盲紫外光探测器单元及阵列

说明书

本发明提供了一种日盲紫外光探测器单元及阵列，其中日盲紫外光探测器单元包括：氧化物基片，所述氧化物基片的禁带宽度大于4.4电子伏特；设在所述氧化物基片的表面上的第一电极和第二电极，所述第二电极具有通孔。本发明的日盲紫外光探测器单元的电极材料可以是金属、石墨或其它导电材料。本发明的日盲紫外光探测器阵列包括上述多个日盲紫外光探测器单元，且所述多个日盲紫外光探测器单元的第二电极电连接形成网状结构。日盲紫外光探测器阵列能实现在太阳光环境下对目标进行扫描探测、成像和跟踪。

技术领域

本发明涉及紫外光探测器领域，具体涉及日盲紫外光探测器。

背景技术

由于日盲紫外光探测器不受太阳光的干扰，使其能在太阳光环境中对紫外光进行探测，因而在导弹拦截、预警等军事、国防和科研领域具有非常重要和广泛的应用。

本专利发明人已报道了上升时间达纳秒的快响应钙钛矿氧化物单晶的日盲深紫外光探测器，例如文献1：J.Xing等，Optics Letters，Vol.34,No.11,1675(2009)；文献2：XuWang等，Physica B,392,104(2007)；中国专利申请号201010107349.7和中国专利申请号200510082702.X也公开了几种日盲紫外光探测器。但到目前为止，日盲紫外光探测器还非常有限，其灵敏度也远远不能满足实用的要求，日盲的线列和面阵深紫外光探测器还未见报道。

发明内容

为了解决现有技术存在的上述技术问题，本发明的实施例提供了一种日盲紫外光探测器单元，包括：

氧化物基片，所述氧化物基片的禁带宽度大于4.4电子伏特；

设在所述氧化物基片的表面上的第一电极和第二电极，所述第二电极具有通孔。

优选的，所述第一电极和第二电极设置在所述氧化物基片的同一侧，且所述第一电极位于所述第二电极的通孔中。

优选的，所述第一电极位于所述第二电极的通孔的中心。

优选的，所述第一电极和第二电极也可分别设置在所述氧化物基片的相对两侧。

优选的，所述第一电极和第二电极的中心轴在同一直线上，且垂直所述氧化物基片的表面。

优选的，所述第二电极的通孔是圆孔或多边形孔。

优选的，所述第一电极是圆形或多边形。

优选的，所述氧化物基片的禁带宽度为4.4～16电子伏特。

优选的，所述氧化物基片的材料为LaAlO₃、ZrO₂或MgO。

优选的，所述第一电极或第二电极的材料为金、铂、银、铝、铜、石墨、铟锡氧化物、钌酸锶或合金等导电材料。

本发明的实施例还提供了一种日盲紫外光探测器阵列，包括：

多个上述的日盲紫外光探测器单元；

其中，所述多个日盲紫外光探测器单元排列成一个阵列。

优选的，所述多个日盲紫外光探测器单元的第二电极电连接形成网状结构。

本发明的日盲紫外光探测器阵列实现对目标进行扫描探测、成像和跟踪。

附图说明

以下参照附图对本发明实施例作进一步说明，其中：

图1是根据本发明第一个实施例的日盲紫外光探测器单元的立体示意图。

图2是图1所示的日盲紫外光探测器单元的俯视图。

图3是图1所示的日盲紫外光探测器单元沿A-A线的剖视图。