[发明专利]超薄晶片的抛光方法

权利要求书

1.超薄晶片的抛光方法，其特征是，包括以下步骤：

步骤一、在晶片非抛光面贴一层胶带，或涂布胶体（401）并固化，或者先在晶片非抛光面涂布胶体（401）然后在固化的胶体表面黏贴胶带，构成一个整体厚度增加的贴膜芯片；所述胶带包含两层：胶膜（302）和提供机械力的表层膜（301），表层膜（301）通过胶膜（302）跟晶片结合在一起；

步骤二、将所述贴膜晶片吸附在模板（201）里面，晶片露出模板（201）外面的厚度在10μm~700μm，贴膜晶片整体嵌入模板（201）的厚度在10μm~700μm；

步骤三、对晶片实施抛光工艺，使晶片达到预定厚度；

步骤四、将贴膜晶片从模板（201）中取出，通过加热或辐射方式去除胶带或胶体（401），或者依次去除胶带和胶体（401）。

2.如权利要求1所述的超薄晶片的抛光方法，其特征是，所述胶体（401）用旋转涂布法涂布，或者用贴膜法涂布，或者用喷胶法涂布；涂布后的胶体（401）直接进行固化，或者先通过烘烤表面流平后固化。

3.如权利要求1所述的超薄晶片的抛光方法，其特征是，所述胶体（401）厚度在10nm~1500μm。

4.如权利要求2所述的超薄晶片的抛光方法，其特征是，所述固化方式为加热或辐射方式。

5.如权利要求1所述的超薄晶片的抛光方法，其特征是，所述胶膜（302）的厚度在10nm~500μm，表层膜（301）的厚度在1μm~1000μm。

6.如权利要求1所述的超薄晶片的抛光方法，其特征是，所述胶膜（302）是树脂类粘性物质，且该胶膜（302）通过加热或辐射方式作用后，黏性会降低或消失；所述表层膜（301）是塑料膜或者金属薄膜。

7.如权利要求1所述的超薄晶片的抛光方法，其特征是，所述胶体通过加热或辐射方式失去胶性，再通过水洗、等离子体氧化、有机去胶液浸泡工艺去除；或者所述胶体固化后形成一种膜，通过加热或辐射方式使膜与晶片间失去黏性，再通过机械力将该膜从晶片上撕下来。

8.如权利要求1所述的超薄晶片的抛光方法，其特征是，所述依次去除胶带和胶体（401）的方法为：先通过加热或辐射方式使胶膜（302）黏性降低或者消失，将胶带从晶片上取下使胶体（401）露出来；然后通过加热或辐射方式使胶体（401）失去胶性，通过水洗、等离子体氧化、有机去胶液浸泡工艺将胶体（401）去除；或者通过加热或辐射方式使胶体（401）固化形成的膜与晶片间失去黏性，通过机械力将该膜从晶片上撕下来。