[发明专利]一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法

权利要求书

1.一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法，包括：

在半导体衬底上形成堆叠纳米线结构，所述纳米线结构包括至少一层纳米线，所述纳米线结构的两端通过支撑衬垫与半导体衬底连接；

在所述纳米线结构上淀积栅介质层和假栅电极材料层；

在所述假栅电极材料层上形成假栅掩模图形；

在所述假栅掩模图形保护下对所述假栅电极材料层进行第一刻蚀，直至所述纳米线结构中最上层纳米线上的栅介质层露出；

对剩余的假栅电极材料层进行第二刻蚀，直至半导体衬底上最底部的栅介质层露出；其中，

第二刻蚀的选择比大于第一刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一刻蚀采用刻蚀性气体进行各向异性刻蚀。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一刻蚀采用的气体为：

Cl₂、HBr和O₂；或

HBr和O₂；或

CH₂F₂、SF₆和O₂；或

SF₆、HBr和O₂；或

碳氟基和/或卤族气体同SF₆和O₂的组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一刻蚀中，栅极材料对栅介质层刻蚀选择比大于50。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过刻蚀终点检测曲线记录刻蚀信号，当第一刻蚀到达最上层纳米线上的栅介质层上时，刻蚀终点检测曲线记录的刻蚀信号发生变化，则将第一刻蚀切换到第二刻蚀。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二刻蚀中通过终点触发的方法预设过刻蚀量，从而保证第二刻蚀不危及到栅介质层。

7.根据权利要求6所述的方法，所述过刻蚀量大于20％。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行第二刻蚀之后，支撑衬垫的侧壁及纳米线上有剩余的假栅电极材料层，该方法进一步包括：采用第三刻蚀将支撑衬垫的侧壁及纳米线上剩余的假栅电极材料层去除。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，第三刻蚀采用各向同性的干法刻蚀或湿法腐蚀。