[发明专利]晶硅片切割刃料的制备方法在审
申请号: | 201610023966.6 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105668570A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 吕军超 | 申请(专利权)人: | 宝兴易达光伏刃料有限公司 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36;B28D5/04;B28D5/00 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 625700 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 切割 制备 方法 | ||
1.一种晶硅片切割刃料的制备方法,其特征在于它包括以下步骤:
(1)选取碳化硅块料,通过立轴冲击式破碎机破碎并过筛,收集粒度≤ 4.5mm的碳化硅粒度砂;其包括1#分级机和2#分级机,物料研磨后的细粉随风机 产生的气流被带入1#分级机进行分选,在1#分级轮的离心作用下粒度过粗的物 料落回重磨,合格细粉则随气流进入2#分级机,在2#分级轮的离心作用下经出 粉管排出,即得到所需粒度,未经排出的细粉随气流经微粉旋风收集器粉管排 出;
(2)在真空条件下,干法球磨分级采用干式球磨分级设备对上述碳化硅粒 度砂进行磨粉、分级得粒度为3~8um的碳化硅粉体;
(3)在真空条件下,将所述碳化硅粉体加入水中,并在频率为25~60KHz 超声波下震荡处理15~19分钟,然后通入沉淀装置沉淀10分钟,再将沉淀装置 上部浑浊水抽出;
(4)在真空条件下,引入溢流分级装置,向溢流缸引入向上流动的水流, 水流速度等于颗粒沉降速度时,该颗粒滞留不动。粒径大于该颗粒的就下沉, 粒径小于该颗粒的就随水流溢出。将料浆投入溢流缸,先用小流量冲出细粒, 随后略调大流量,并改动溢流管位置,即可获得一种规格微粉。当溢流出来的 料浆浓度很稀时,再次调大流量并改换溢流管位置,又可获得一种较粗规格的 微粉。如此重复操作,可分出各个粒度的微粉,根据不同的粒度分级要求,调 节料浆浓度,进行溢流分级;再根据不同粒径分别通入酸洗装置;
(5)在真空条件下,酸洗装置在搅拌的情况下同时加入盐酸,搅拌反应12 小时后脱酸以去除金属离子;然后再通入装有浓硫酸的离心机中,所述浓硫酸 与所述碳化硅粉体的质量比为1:30,然后再搅拌反应2小时,以进一步去除金属 离子,并脱去水分;
(6)浓缩脱水采用刮刀离心机对分级后的料浆进行浓缩脱水处理,使所得 粉料的含水率≤6%;
(7)烘干将浓缩脱水后的粉料送入隧道干燥窑进行干燥,烘干温度为75度, 使其含水率<0.04%;
(8)混配将烘干后的同一粒度段的不同批次的粉料送入干混机干混2.1小 时;
(9)精筛以超声波振动筛精筛上步所得粉料,去除结团和大颗粒杂质后即 得晶硅片切割刃料,然后将所述晶硅片切割刃料按照质量比是25∶1与石英砂进 行混合;
(10)将上述得到的产品装于具有硅胶、活性碳和沸石的箱体内,所述硅 胶、活性碳和沸石的比例为5:3:2。
2.根据权利要求1所述的晶硅片切割刃料的制备方法,其特征在于所述碳 化硅块料采用绿碳化硅。
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