[发明专利]包括具有裙部区域的栅极结构的半导体器件有效
申请号: | 201610023864.4 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105895698B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 刘庭均;严命允;朴永俊;李廷骁;河智龙;黃俊善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;崔卿虎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 具有 区域 栅极 结构 半导体器件 | ||
【说明书】:
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