[发明专利]脆化装置,拾取系统和拾取芯片的方法在审
申请号: | 201610022826.7 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN105789127A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 吴祖华;M.海因里奇;J.希尔施勒;I.米勒;M.勒斯纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化装 拾取 系统 芯片 方法 | ||
技术领域
各种实施例涉及脆化装置、拾取系统和拾取芯片的方法。
背景技术
通常,将半导体芯片呈现在行业内也被称为胶带的在框架中支撑的箔上,用于以 安装设备来处理。半导体芯片粘附到箔。具有箔的框架由可移动的晶片工作台容纳。晶片工 作台周期性地移动,使得一个半导体芯片接着另一个被呈现在第一位置A处,并且然后所呈 现的半导体芯片由芯片夹持器拾取并被放置在衬底上的第二位置B处。所呈现的半导体芯 片从箔的去除由布置在箔下面的芯片排出器(在行业内被称为管芯排出器)支持。这样做 时,通常布置在芯片排出器中的至少一个针支持半导体芯片从箔的分离。
发明内容
各种实施例提供了一种从载体系统拾取芯片的方法,其中,该方法包括提供包括 多个芯片的载体系统,该多个芯片包括边缘部分并且通过粘合层附着到载体系统的一个表 面;在多个芯片的边缘部分处选择性地脆化粘合层;以及拾取多个芯片中的至少一个芯片。
此外,各种实施例提供了一种用于从载体系统拾取芯片的拾取系统的脆化装置, 其中脆化装置被配置成在通过粘合层附着到载体系统的芯片的边缘部分处选择性地脆化 粘合层。
而且,各种实施例提供了一种用于从载体系统拾取芯片的拾取系统,其中该拾取 系统包括被配置成容纳具有附着在其上的多个芯片的载体系统的框架;以及脆化装置。
附图说明
在附图中,同样的参考字符遍及不同视图大体上指代相同的部分。附图不一定是 成比例的。而是重点大体上放在图示本发明的原理上。在下面的描述中,参照下面的附图描 述各种实施例,在附图中:
图1A和1B示意性地图示了根据示范性实施例的载体系统;
图2示意性地图示了根据示范性实施例的脆化装置;
图3示意性地图示了根据另一个示范性实施例的另一个脆化装置;
图4示意性地图示了根据示范性实施例的脆化装置的细节;
图5示意性地图示了根据示范性实施例的拾取系统;以及
图6示出了根据示范性实施例的拾取方法的流程图。
具体实施方式
在下文中,将解释脆化装置、拾取系统和从载体系统拾取芯片的方法的进一步示 范性实施例。应该指出的是,在一个特定示范性实施例的上下文中描述的特定特征的描述 也可以与其他示范性实施例相结合。
词语“示范性”在本文中用来意指“用作示例、实例或举例说明”。在本文中被描述 为“示范性”的任何实施例或设计不一定被解释为相比其他实施例或设计是优选或有利的。
各种示范性实施例提供了一种选择性地脆化芯片的载体系统的粘合层的部分的 方法,其中,各个选择的部分对应于附着到载体系统的芯片的边缘部分。可以通过选择性地 施加能量(例如,冷却能量或光能量)到各个边缘部分执行脆化。例如,可以通过脆化装置执 行脆化,该脆化装置被配置成在通过粘合层附着到载体系统的芯片的边缘部分处选择性地 脆化粘合层。任选地,也可以脆化未连接到边缘或边缘部分的芯片背面的附加部分。
应该指出的是,术语“选择性地”可以特别表示,在可以在整个载体系统内或跨整 个载体系统执行基本脆化时,对选择性地脆化的各个部分执行附加脆化。这可以通过提供 附加量的能量(例如光或冷却)到各个部分来执行。应该指出的是,当然在(多个芯片的)个 体芯片的边缘部分下面的粘合层的脆化可以随后或以一种分批工艺来执行,即以单一的脆 化步骤一起来执行。
特别地,应该指出的是,特别地在芯片的边缘部分处执行脆化。因此,它必须区别 于整个粘合层的总体脆化。通过特别脆化附着或固定到载体系统的芯片的边缘或边界部分 或区域,可以可能的是使拾取动作变得容易和简化拾取动作。特别地,芯片的边缘部分可能 难以卸下载体系统(例如箔),因为在薄芯片的情况下,芯片可能相当弯曲或挠曲,并且仍然 粘住箔。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造