[发明专利]高焊线质量的芯片框架及其制造方法

权利要求书

1.高焊线质量的芯片框架，包括框架本体，其特征在于，所述框架本体分为用于封装芯片的框架正面和与框架正面对应的框架背面，所述框架正面涂敷有钯银金镍保护层，所述框架背面涂敷有镍钯金保护层。

2.根据权利要求1所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述框架正面涂敷的钯银金镍保护层为从内到外的多层结构，且从内到外依次为正面Ni层、正面Pd层、正面Ag层和正面Au层，其中Ni为镍，Pd为钯，Ag为银，Au为金。

3.根据权利要求2所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述正面Ni层的厚度为0.5-2.0um，所述正面Pd层的厚度为0.02-0.15um，所述正面Ag层的厚度不小于0.1um，所述正面Au层的厚度不小于0.003um。

4.根据权利要求1-3之一所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述框架背涂敷的镍钯金保护层为从内到外的多层结构，且从内到外依次为背面Ni层、背面Pd层和背面Au层。

5.根据权利要求4所述的高焊线质量的芯片框架，其特征在于，所述背面Ni层的厚度为0.5-2.0um，所述背面Pd层的厚度为0.02-0.15um，所述背面Au层的厚度不小于0.003um。

6.一种芯片框架的制造方法，其特征在于，制造如权利要求1-5之一所述的高焊线质量的芯片框架的具体步骤如下：

（1）准备制作框架的优质基材铜；

（2）将基材铜制作成裸铜框架，框架表面平整光洁无污染；

（3）采用电镀的方法在裸铜框架的一面镀上钯银金镍保护层或镍钯金保护层，待该面保护层电镀完成后再进行框架另一面的电镀操作，另一面电镀上另外一种保护层；

（4）电镀完成后对框架表面杂质进行清理，存架待用。

7.根据权利要求6所述的芯片框架的制造方法，其特征在于，步骤（3）中，钯银金镍保护层各种材料的涂敷先后顺序为：Ni-Pd-Ag-Au；镍钯金保护层各个材料的涂敷先后顺序为：Ni-Pd-Au。

8.根据权利要求7所述的芯片框架的制造方法，其特征在于，在电镀过程中,框架正面的电镀液和框架背面的电镀液不能相互污染。

9.根据权利要求8所述的芯片框架的制造方法，其特征在于，在电镀过程中，框架正面电镀的Ag材料不能泄漏到框架背面上，在框架正面镀银操作时应采用隔离纸或板遮挡框架的背面。