[发明专利]一种阵列基板和OLED显示面板、制备方法及显示装置在审
申请号: | 201610004720.4 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105655378A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 马占洁 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 oled 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区和外围布线区;所述显示区包括依 次设置在衬底基板上的阳极、有机材料功能层和阴极;其特征在于,
所述外围布线区包括多条相互绝缘的触控电极引线,所述触控电 极引线包括第一触控电极引线和第二触控电极引线;
所述第一触控电极引线位于所述阵列基板相对所述衬底基板的上 表面的最高位置处,用于与设置在封装基板上的触控电极电联接;
所述第二触控电极引线靠近所述衬底基板设置,其一端用于与所 述第一触控电极引线电联接,另一端用于与触控IC相连;
其中,所述第一触控电极引线的厚度大于所述阴极的厚度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一触控 电极引线由一层金属线构成。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一触控 电极引线由两层金属线构成;
其中,所述两层金属线完全重叠,且位于下方的一层金属线与所 述阴极同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板 还包括设置在所述衬底基板与所述阳极之间的薄膜晶体管,所述薄膜 晶体管包括栅极、源极和漏极;
其中,所述第二触控电极引线与所述栅极或所述源极和漏极同层 设置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,在所 述外围布线区内还包括封装区;
所述第一触控电极引线位于所述封装区与所述显示区之间。
6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述 第一触控电极引线的厚度为
7.一种OLED显示面板,包括阵列基板和封装基板;其特征在于,
所述阵列基板为权利要求1-6任一项所述的阵列基板;
所述封装基板面向所述阵列基板一侧设置有触控电极、与所述触控 电极电联接的触控电极线以及保护层,所述保护层至少露出所述触控电极线 的部分;
其中,所述触控电极线与第一触控电极引线一一对应,且所述触控 电极线的露出部分与所述第一触控电极引线直接接触。
8.一种阵列基板的制备方法,包括:在所述阵列基板的显示区依 次形成位于衬底基板上的阳极、有机材料功能层和阴极;其特征在于, 所述制备方法还包括:
在所述阵列基板的外围布线区形成多条相互绝缘的触控电极引 线,所述触控电极引线包括第一触控电极引线和第二触控电极引线;
所述第一触控电极引线通过蒸镀工艺形成在所述阵列基板相对所 述衬底基板的上表面的最高位置处,用于与设置在封装基板上的触控 电极电联接;
所述第二触控电极引线通过构图工艺靠近所述衬底基板形成,其 一端用于与所述第一触控电极引线电联接,另一端用于与触控IC相连;
其中,所述第一触控电极引线的厚度大于所述阴极的厚度。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一触控 电极引线由一层金属线构成;
形成所述第一触控电极引线,包括:
以第一掩模板为遮挡,使其开孔与待形成的所述第一触控电极引 线对应;
蒸镀金属材料,形成所述第一触控电极引线。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一触 控电极引线由两层金属线构成,且所述两层金属线完全重叠;
形成所述第一触控电极引线,包括:
以第二掩模板为遮挡,使其开孔分别与待形成的一层金属线和所 述阴极对应;
蒸镀阴极金属材料,形成所述阴极和一层所述金属线;
以第一掩模板为遮挡,使其开孔与待形成的另一层金属线对应;
蒸镀金属材料,形成另一层所述金属线。
11.根据权利要求8-10任一项所述的制备方法,其特征在于,所 述制备方法还包括:形成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源 极和漏极;
其中,所述第二触控电极引线与所述栅极或所述源极和漏极通过 同一次构图工艺形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的