[发明专利]透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方 法、显示装置。

背景技术

随着触控屏行业的发展，基于市场需求，触控屏越来越趋向于无边框。

目前，触控屏四周的边框一般采用金属来制作信号传输线，金属走线具有导通性 好、线宽窄、电阻低的特性，可以满足窄边框的需求。但由于金属的不透明性，利用金属走线 来制作信号传输线不可能实现触控屏的无边框；另外，虽然ITO等透明导电薄膜具有较高的 可见光透过率，但其电阻率较大，因此，也无法利用ITO等透明导电材料来制作触控屏的信 号传输线。

综上所述，目前只能实现触控屏的窄边框，对于手机触控屏来说，边框的宽度可以 控制在2-3mm；对于TPC(TouchPC，触控个人电脑)/NB(Notebook，笔记本)触控屏来说，边框 的宽度可以控制在5mm左右；对于MNT(专业显示器)触控屏来说，边框的宽度可以控制在 10mm左右。但目前尚无技术能够实现触控屏的无边框。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种透明导电薄膜、基板、触控屏及其制作方法、 显示装置，能够实现触控屏的无边框。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括层叠设置的 第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层。

进一步地，所述透明导电薄膜包括依次层叠的第一铟镓锌氧化物层、第一锰氧化 物层、金属层、第二锰氧化物层和第二铟镓锌氧化物层。

进一步地，所述金属层为采用铜或银。

进一步地，在所述金属层采用铜时，所述第一铟镓锌氧化物层的厚度为45nm- 50nm，所述第二铟镓锌氧化物层的厚度为30nm-35nm，所述金属层的厚度为10nm-15nm，所述 第一锰氧化物层和所述第二锰氧化物层的厚度均为3nm-5nm。

本发明实施例还提供了一种基板，包括形成在衬底基板上的多个信号传输线，所 述信号传输线为采用上述的透明导电薄膜制成。

本发明实施例还提供了一种触控屏，包括如上所述的基板，所述信号传输线为与 所述触控屏的触控电极连接的触控信号传输线。

进一步地，所述触控电极为采用所述透明导电薄膜制成。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的触控屏。

本发明实施例还提供了一种触控屏的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成消影层；

在所述消影层上形成触控电极；

在形成有所述触控电极的衬底基板上形成第一平坦层；

在所述第一平坦层上利用上述透明导电薄膜形成与所述触控电极连接的触控信 号传输线。

进一步地，形成所述触控电极具体为：

在所述消影层上利用所述透明导电薄膜形成所述触控电极。

进一步地，形成所述触控信号传输线之后，所述方法还包括：

在形成有所述触控信号传输线的衬底基板上形成第二平坦层。

本发明的实施例具有以下有益效果：

上述方案中，基板的信号传输线为采用透明导电薄膜制成，透明导电薄膜由层叠 设置的金属氧化物层、金属层和金属氧化物层组成，使得透明导电薄膜既透明且导电性能 不弱于金属，利用该透明导电薄膜制作信号传输线，既能满足电阻率要求，又不会影响透过 率。

附图说明

图1为现有阵列基板的结构示意图；

图2为现有阵列基板的制作流程示意图；

图3为本发明实施例透明导电薄膜的结构示意图；

图4为本发明实施例阵列基板的结构示意图；

图5为本发明实施例阵列基板的制作流程示意图。

附图标记

1、5铟镓锌氧化物层2、4锰氧化物层3铜金属层

100衬底基板101黑矩阵102消影层103T发射电极

103R接收电极104第一平坦层105触控信号传输线

106第二平坦层

具体实施方式

为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。